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电工电子学 讲课教师：杜鹃 第1章 电路和电路元件 多子扩散 形成空间电荷区产生内电场 少子漂移 促使 阻止 扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结 ①外加正向电压（也叫正向偏置） PN结的单向导电性 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。 ②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于截止状态。 PN结及其单向导电性 ①外加正向电压 （也叫正向偏置） ②外加反向电压 （也叫反向偏置） PN结导通 PN结截止 1.4.2 二极管的特性和主要参数 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 （1）正向特性 外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态 。 正向电压大于死区电压后，正向电流 随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。 外加反向电压时， PN结处于截止状态，反向电流 很小。反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧增加。 （2）反向特性 二极管的伏安特性 D I + U S － R + U － 0 ID UD U S R U S IR UQ IQ ① Q ② 二极管的电路模型 欧姆定律：US=UD+RID 二极管的静态电阻RD=UQ/IQ 静态电阻随工作电流的变化而变化 微变电阻 rD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 iD uD ID UD Q ?iD ?uD ? U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降: 硅管0.7V,锗管0.3V。 反向击穿电压UBR 二极管的折线近似模型 实际伏安特性曲线 I U UON P Q 二极管的应用举例1：二极管半波整流 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例2： R RL ui uR uo t t t ui uR uo 3K? 12V 3V D1 a b I1 I2 I D2 二极管的应用举例3： 分析下图中D1和D2的工作情况，并求I值。 （设二极管导通时的正向压降为0.7V） 稳压管工作在PN结反向击穿状态。稳压管的稳定电压就是反向击穿电压。击穿状态下不会因过热而损坏。稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很小的电压变化。 稳压二极管 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 1.5 双极型晶体管 1.5.1 三极管的结构及类型 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 基极(base) B E C N N P 发射极(emitter) 集电极(collector) NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大，掺杂浓度低 发射区：掺 杂浓度较高 1.5.2 电流放大原理 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 各极电流关系 IC与IB之比称为直流电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 电流放大系数 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 1.5.3 三极管的特性曲线 EB RB EC IC B E C IB IE IC 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,U