第六节半导体二极管三极管.pptVIP

第六章 常用半导体元器件 第一节 半导体二极管 第二节 半导体三极管 1．放大条件 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 结论： （1）三电极电流关系 IE＝ IB＋ IC （2） IC ?? IB， IC≈ IE 即描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线。 为什么要研究特性曲线？ 三极管的特性曲线反映了晶体管的性能，是分析放大电路技术指标的重要依据。 研究特性曲线，能直观地分析管子的工作状态，合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线  （b）电路符号 2. 结构特点： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 三极管的结构特点 常见三极管的外形结构 3. 三极管的外形结构 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 二、 三极管的电流分配与放大作用 电位 关系 VB VE VC VC VB VE 2．电流分配关系： 4.05 3.18 2.36 1.54 0.82 IE/mA 3.95 3.10 2.30 1.50 0.80 IC/mA 0.10 0.08