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第10章　晶闸管电路 本章基本内容、教学要点及能力培养目标 本章简要地介绍了晶闸管的结构和工作原理。要求对晶闸管的特性和基本的应用电路有一个大致的了解。 本章要讨论的问题 晶闸管的结构特点？ 晶闸管的工作原理？ 晶闸管导通及关断的条件？ 晶闸管的基本应用电路？ 10.1　晶闸管的结构和工作原理 重点内容 1、晶闸管的结构和工作原理； 2、晶闸管正常导通的必备条件； 3、晶闸管的伏安特性。 难点内容 晶闸管的工作原理和伏安特性。 课堂提问和讨论解答 T10.1.1　晶闸管正常导通的条件是什么？ 解答：晶闸管正常导通必须同时具备两个条件： （1）阳极电路加正向电压； （2）控制极电路加适当的正向电压（工程上，控制极常加正触发脉冲信号）。 T10.1.2　晶闸管有哪些不正常导通？ 解答：晶闸管的伏安特性曲线如图10.1.4所示。 vAK＞0时的伏安特性称为晶闸管的正向特性。从图10.1.4所示的伏安特性曲线的正向特性看，当IG＝0，且正向电压vAK＜VBO时，晶闸管处于正向阻断状态，虽然vAK逐渐增大，但由于晶闸管中有一个PN结处于反偏状态，所以iA为很小的正向漏电流，曲线与二极管的反向特性类似，晶闸管呈现为很大的电阻，见图10.1.4中曲线的OA段；当正向电压vAK进一步增大到VBO时，晶闸管中间反偏的PN结将被击穿，晶闸管由正向阻断状态突然导通，出现负阻特性，iA骤然增大、vAK迅速下降，见图10.1.4中曲线的AB段，这种不是由控制极控制（IG＝0）的导通称为误导通，这种导通方式很容易造成晶闸管因不可恢复性击穿而损坏，属于不正常导通，使用中应当避免。 T10.1.3　怎样才能使正常导通后的晶闸管关断？ 解答：如何使晶闸管从导通状态变为阻断状态呢？如果降低阳极正向电压，使阳极电流iA小于维持电流IH（维持晶闸管导通所需最小的阳极电流，约几十至一百多毫安），导致晶闸管不能维持正反馈过程时，晶闸管将被关断，这种判断称为正向阻断；如果在阳极和阴极之间加反向电压，晶闸管也将关断，这种关断称为反向阻断。即，要使晶闸管从导通状态变为阻断状态，则必须通过减小阳极电流或改变vAK电压极性的方法来实现。 10.2　单相可控整流电路与单结晶体管触发电路 重点内容 1、单相半波可控整流电路； 2、单相半控桥式整流电路； 3、单结晶体管同步触发电路。 难点内容 1、可控整流电路参数的估算； 2、单结晶体管同步触发电路的工作波形和参数估算。 例题详解 【例10.2.1】单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路如图10.2.6（a）所示，设单结晶体管的分压比η＝0.6，试求： （1）控制角α的移相范围； （2）输出直流电压VO(AV)的调节范围。 解：（1）如图10.2.6（a）所示，由式可求得触发脉冲的最小周期和最大周期分别为 s≈4.3ms s≈8.6ms 交流电源频率f1为50Hz，周期T1为20ms，对应的电角度为360°，则 所以，控制角α的移相范围为77.4°~154.8°。 （2）如图10.2.6（a）所示，依式可得 V≈9.4V V≈120.6V 所以，输出直流电压VO(AV)的调节范围为9.4V~120.6V。 课堂提问和讨论解答 T10.2.1　何谓单结晶体管的负阻特性、峰点电压和谷点电压？ 解答：单结晶体管伏安特性的测试电路如图10.2.4（a）所示，在Vbb一定的情况下，发射极电流iE与eb1结压降vEB1之间的函数关系，即单结晶体管的伏安特性曲线，如图10.2.4（b）所示。 当vEB1＞VP时，单结晶体管随即导通，iE迅速增大，由于从P区向N区大量注入空穴，从而使rb1急剧减小，η也减小，PN结两端的正向电压又增加，iE更大，这一正反馈过程使vEB1因rb1的减小而减小，即iE增大时，vEB1反而减小，呈现负阻效应，称为负阻区，如图10.2.4（b）中的PV段所示。 在PV段的P点，vEB1＝VP，iE＝IP，VP称为峰点电压，相对应的电流IP称为峰点电流。由前面分析可知 VP＝VA＋VD（on）＝ηVbb＋VD（on）≈ηVbb 当vEB1降到最低后，iE再增加，vEB1也有所增加，单结晶体管进入饱和区，工作在饱和导通状态，如图10.2.4（b）中的VB段所示。负阻区与饱和区的分界点V称为谷点，该点的电压VV称为谷点电压，相对应的电流IV称为谷点电流。晶闸管导通后，当vEB1＜VV时，单结晶体管又会重新截止，故VV是维持晶闸管导通的最小发射极电压。 T10.2.2　为什么要把单结晶体管振荡触发电路与可控整流电路接在同一交流电源上？ 解答：单结晶体管同步触发单相半控桥式整流电路如图10.2.6（a）所示。为了保证触发脉冲出现的时刻必须与主电源电压变化周期保持同步的关系，图中采用了一个同步变压器Tr，变压器的一次侧与主电源电路接至同一