半导体名字解释.doc

半导体名字解释免费赠送 1.? ?? ???何谓PIE???PIE的主要工作是什幺?$ \: I. S0 C/ _7 R? ?? ???答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。??|5 l% C/ |+ o8 b) J2.? ?? ???200mm，300mm Wafer 代表何意义?$ v/ f+ C, z- ]. {! P c2 I? ?? ???答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋. B5 O2 g( A* p??~: y3.? ?? ???目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ ? j6 x7 w) j$ t [* S0 r+ v0 h f? ?? ???答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。0 o/ X; C B7 @+ S* l4.? ?? ???我们为何需要300mm?: C; T9 L# ~4 P3 F? ?? ???答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低7 V9 Z; ]$ j8 _# g? ? 200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍. ?) l) f. { V8 J* i+ R0 b* Y? ?? ???1 I9 c7 C$ J1 A7 Y9 |+ ?) G X+ {( Z( l! n% E [) P; f* G5.? ?? ???所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？) _* M8 x `* G+ p B? ?? ???答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 u8 n??L6 U9 m6 W6.? ?? ???从0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？% E* y- h1 P8 f* V9 `$ e? ?? ???答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um - 0.25um - 0.18um??- 0.15um - 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。?7.? ?? ???一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?1 c) t5 N$ q Z$ f2 ^? ?? ???答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。+ m* n( J9 `- m) a( y2 N, n* h3 E2 x4 S??|$ v V2 `9 K. Y1 [* A8 y6 O$ H8.? ?? ???工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？% V; U/ u# z8 R/ x s D? ?? ???答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子?注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。6 Y; S: Z/ F3 h3 q* w9.? ?? ???一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？??e. r$ {??Y. i+ b* _% C? ?? ???答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而??y; q( h7 U9 h; o( c0 g( v光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.$ o! R8 w: ? U U d- M8 ~) Z10.? ?? ???Wafer下线的第