Si基InGaAs太阳能电池器件.docVIP

Si衬底上(In)GaAs外延生长技术及相关太阳电池制作 一、(In)GaAs太阳能电池基本知识 1、(In)GaAs基本性质 InGaAs在整个组分范围内均为直接带隙材料，半导体稳定性好，有效质量小，电子迁移率和峰值速度高，以及高的光吸收系数，禁带宽度随组分可以在InAs的0.35 eV到GaAs的1.43 eV之间变化，是制备多结叠层太阳能电池的理想材料。 2、(In)GaAs太阳能电池的优点： 1). 光电转换效率高；2). 可制成薄膜和超薄型太阳电池；3). 耐高温性能好；4). 抗辐射性能好；5). 可制成效率更高的多结叠层太阳电池。 而Si单晶具有成本低廉，圆晶面积大的优点。在Si基上外延(In)GaAs薄膜多结太阳能电池，可以充分发挥二者的优势，早日实现低成本光伏器件的大规模应用。 3、(In)GaAs多结太阳能电池光谱吸收原理及其简化结构示意图 图1 多结叠层太阳能电池光谱吸收原理 双结GaAs 太阳电池的极限效率为30%, 三结GaAs 太阳电池的极限效率为38%, 四结GaAs 太阳电池的极限效率为41%。 图2 多结叠层太阳能电池效率极限的理论计算结果 理论计算表明，基于细致平衡原理(Detailed balance)的多结电池中，以带隙1.70eV/0.97eV组成的双结叠层电池效率可达42.5%，而以带隙1.95 eV /1.30 eV/0.82 eV组成的三结叠层电池效率可达48.6%。在此基础上，A Shah提出的理想Pin结电池模型中，以带隙1.72eV/1.09eV组成的双结叠层电池效率可达33.4%，而以带隙1.87 eV /1.39 eV /0.91 eV组成的三结叠层电池效率可达37.7 %，如图2 所示[1]。 图3 (a)双结GaInP/GaAs、(b)三结GaInP/GaAs/Ge级联电池的简化结构示意图 图4 典型的GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳能电池结构示意图 图5 由3J演变而来的5J、6J级联结构 二、Si基 (In)GaAs太阳能电池的发展现状 1、(In)GaAs薄膜的外延生长 在Si衬底上制备(In)GaAs的方法主要有两种：一、以低能等离子体增强CVD先沉积Ge/GeSi/Si 虚拟衬底(virtual substrate)，然后在使用MOCVD沉积(In)GaAs 及其量子阱(2005年)；2010年，Richard Beeler[2]采用新的氢化物在低温CVD下沉积Ge/Si 虚拟衬底，与Ge圆晶相比，前者使用MOCVD沉积的InGaAs质量更好，可在低成本光伏器件中大量使用。二、LP-MOCVD 法 a) (冯建友)低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术，采用基于低温缓冲层的两步生长方法，生长GaAs/Si(100)：有偏角的衬底有较大的晶格弛豫度，有效的抑制了异质外延中的反相无序问题，并减少了H类位错的产生；B的并入，会使晶格变小，而In的并入，会使晶格变大，调节B和In在BlnGaAS中的组分便可抵消二者对材料晶格的影响。b)(孙览江)通过探索有偏角衬底、AIGaAs低温缓冲层和循环热退火等技术的最优条件，在Si衬底上外延生长出了高质量的GaAS材料，并摸索出了一种GaAs层分两个阶段生长、中间插入刻槽工序(mid-Pattem)的 Si/GaAs无裂纹外延方法。c)(吕吉贺)通过探索有偏角衬底、Al(GaAs)As低温缓冲层和循环热退火等技术的最优条件，在Si衬底上外延生长出了高质量的GaAS材料。对于 1.2μm厚GaAs外延层，其XRDω-2θ扫描的FWHM仅为 192.3arcsec，透射电子显微镜 (TEM)图像显示外延材料层中位错能被有效弯曲、合并，测试结果表明在距GaAs/Si界面处0.5μm的位错密度为107cm-2量级。(以上三人均为北京邮电大学) 2、(In)GaAs太阳能电池的研究现状 到目前为止，GaAs材料太阳电池的最高转换效率仍为25.8%，InP材料太阳电池仍为21.9%。通过GaAs及Ⅲ-Ⅴ合金制备量子阱太阳电池是当前一个新的研究热点。利用MOCVD 得到的50个周期的量子阱太阳电池的转换效率高于PN结GaAs电池。如Spectrolab公司于2007年上半年开发出一种多结太阳电池，采用的是晶格失配多重半导体结构层(GaInP/GaInAs/Ge)，该电池的光电转换效率可达创纪录的40.7%，是普通屋顶太阳能板的两倍多[3]。 T. Sugaya [4]对InGaAs多结叠层量子点太阳能电池进行了研究，PL谱测试显示电池效率随着量子点叠层数目的增加而急剧上升。 三、InGaAs太阳能电池技术发展前景展望 1、AlInGaP/GaAs /? (新材料)/Ge 四结电池中第三结子电池材料是关键。对四