模拟电路 4.3节.ppt

4.3 双极型三极管 1. 晶体管的结构和类型 有NPN和PNP两种结构类型。核心部分都是两个PN结。 1. 晶体管的结构和类型 1. 晶体管的结构和类型 PNP型 1. 晶体管的结构和类型 NPN型 1. 晶体管的结构和类型 三极管在结构上的两个特点： (1)掺杂浓度：发射区集电区基区； (2)基区必须很薄。 2. 晶体管的电流分配关系和放大作用 内部条件 外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 电路接法：共基接法。 2. 晶体管的电流分配关系和放大作用 共射接法。 ⑴ 晶体管内部载流子的运动 发射区向基区注入电子的过程 电子在基区中的扩散过程 电子被集电极收集的过程 ⑵ 晶体管的电流分配关系 ⑵ 晶体管的电流分配关系 ⑵ 晶体管的电流分配关系 电流iC由两部分组成： 一部分是ICEO，它是iB=0时流经集电极与发射极的电流，称为穿透电流。 ⑶ 晶体管的放大作用 晶体管放大作用的本质： iB对iC或iE对iC的控制作用。 ⑷ 关于PNP型晶体管 PNP管与NPN管之间的差别： (1)电压极性不同。 (2)电流方向不同。 3. 晶体管的特性曲线 晶体管特性曲线是表示晶体管各极间电压和电流之间的关系曲线。 ⑴ 共射输入特性 uCE为一固定值时，iB和uBE之间的关系曲线称为共射输入特性，即 输入特性有以下几个特点： 当uCE=0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线形状类似。 ⑴ 共射输入特性 uCE增加，特性曲线右移。 uCE的大小影响基区内集电结边界电子的分布。 uCE≥1V以后，特性曲线几乎重合。 uCE≥1V以后，基区中集电结边界处的电子浓度很低。 与二极管的伏安特性相似 uBEUr 时，iB =0； Ur =0.5V (Si) Ur =0.1V (Ge) 正常工作时 uBE=0.7V (Si) uBE= 0.2V (Ge) ⑴ 共射输入特性 电压极性、电流方向与NPN型管不同。PNP管的参考方向 ⑵ 共射输出特性 iB为固定值时，iC和uCE之间的关系曲线称为共射输出特性，即 ⑵ 共射输出特性 截止区: 指iB≤0，iC≤ICEO的工作区域。在这个区域中，电流iC很小，基本不导通，故称为截止区。工作在截止区时，晶体管基本失去放大作用。 ⑵ 共射输出特性 实际上，三极管在iB=0时并没有完全截止。为使三极管真正截止，必须给发射结加反向偏压，使发射区不再向基区注入载流子。 ⑵ 共射输出特性 饱和区: 指输出特性中iC上升部分与纵轴之间的区域。饱和区特性曲线的特点是固定iB不变时，iC随uCE的增加而迅速增大。 ⑵ 共射输出特性 饱和区是对应于uCE较小（uCEuBE）的情况。这时集电结和发射结都处于正向偏置（uBEUr，uBC0)。 ⑵ 共射输出特性 放大区: 输出特性上在饱和区和截止区之间的区域为放大区。在这个区域里，iB0，uCEuBE，即发射结是正向偏置，集电结是反向偏置。 ⑵ 共射输出特性 放大区的特点：iB固定，uCE增加?iC略有增加。 uCE固定，iB变化?iC变化很大，iB对iC的强烈控制作用。 4. 晶体管的主要参数 晶体管的参数是用来表示晶体管的各种性能指标。 ⑴ 电流放大系数 ⑴ 电流放大系数 A点对应的iC=6mA，iB=40μA ⑴ 电流放大系数 晶体管3AX3有较大的穿透电流ICEO 表示集电极负载短路（即uCE保持不变）的条件下，集电极电流的变化量与相应的基极电流变化量之比，即 定义 ⑵ 极间反向电流 ① 集电极-基极反向饱和电流ICBO ICBO是指发射极开路，集电极与基极之间加反向电压时产生的电流，也就是集电结的反向饱和电流。可用下图电路测出。 ① 集电极-基极反向饱和电流ICBO 反向电压大小改变时，ICBO的数值可能稍有改变。 ICBO是少数载流子电流，受温度影响很大，ICBO越小越好。 硅管的ICBO比锗管的小得多，要求在温度变化范围宽的环境下工作时，应选用硅管；大功率管的ICBO值较大，使用时应予以注意。 ② 穿透电流ICEO ICEO是基极开路，集电极与发射极间加反向电压时的集电极电流。由于这个电流由集电极穿过基区流到发射极，故称为穿透电流。测量ICEO的电路如图所示。 ② 穿透电流ICEO 由图可见，ICEO不单纯是一个PN结的反向电流 ⑶ 极限参数 ① 集电极最大允许耗散功率PCM ① 集电极最大允许耗散功率PCM 可以在输出特性的坐标上画出PCM=iCuCE的曲线．称为集电极最大功率损耗线。 例如，3DG4的PCM=300m