关于mosfet驱动电阻的选取.PDFVIP

关于MOSFET 驱动电阻的选择 等效驱动电路： VCC 12V L Rg Q DRIVE Cgs L 为 PCB 走线电感，根据他人经验其值为直走线 1nH/mm，考虑其他走线因素，取 L=Length+10 （nH ），其中Length 单位取mm 。 Rg 为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V 峰值的方波。 Cgs 为MOSFET 栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V    令驱动电流Id := C  VCgs ( t )  t    得到关于Cgs 上的驱动电压微分方程：  2       L C VCgs ( t ) C  VCgs ( t ) RVCgs ( t )Vdr0  2    t  t    Vdr 用拉普拉斯变换得到变换函数：G :=  2 1 Rg S  L C S S     L C L    这是个3 阶系统，当其极点为3 个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是 临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET 栅极产生上下震荡的波形， 这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg 阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状 态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。 L C 根据以上得到2 Rg ，因此根据走线长度可以得到Rg 最小取值范围。 C 分别考虑20m 长m 和70mm 长的走线： L20=30nH ，L70=80nH ， 则Rg20=8.94Ω ， Rg70=17.89Ω ， 以下分别是电压电流波形： 1 驱动电压： 驱动电流： 可以看到当 Rg 比较小时驱动电压上冲会比较高，震荡比较多，L 越大越明显，此时 会对 MOSFET 及其他器件性能产生影响。但是阻值过大时驱动波形上升比较慢，当 MOSFET 有较大电流通过时会有不利影响。 此外也要看到，当L 比较小时， 此时驱动电流的峰值比较大，而一般 IC 的驱动电流输出能力都是有一定 限制的，当实际驱动电流达到 IC 输