PN结电容PN结电容.pptVIP

* 1．3．6 PN结电容效应及应用 点接触型PN结面积小，结电容很小，能在甚高频乃至微波波段完成混频或检波 面接触型PN结面积大，极间电容大，可流过的直流或低频电流大，适用频率低 PN结电容CJ包括势垒电容CT和扩散电容CD 电容是一种能储存电荷(充电)和释放电荷(放电)的元件 CJ=CT +CD 1．势垒电容CT 当反偏电压UD增大ΔUD时 UD P N PN势垒电容示意图 IS UD+ΔUD +ΔQ -ΔQ 相当于对PN结充电 同理，当UD减小ΔUD时 P N IS UD UD-ΔUD +ΔQ -ΔQ 相当于PN结放电 可见，势垒电容可等效为一个极板距离随外加电压变化的平行板电容，极板距离就相当于空间电荷区的宽度。 2 扩散电容CD 可见，势垒电容可等效为一个极板距离随外加电压变化的平行板电容，极板距离就相当于空间电荷区的宽度。 ΔQP ΔQN 载流子平衡浓度 x 正偏PN结非平衡少子浓度分布 载流子浓度 P N U QP QN U+ΔU 当正偏电压UD增大到UD+ΔUD时 相当于电容的充电 当外加正偏电压变化时，PN结外扩散区内累积的非平衡载流子数变化引起的电容效应，称为扩散电容 扩散电容用符号CD表示 τ是非平衡载流子的平均寿命，ID是正向电流。上式说明CD与ID成正比。CD比CT大，一般CD在数十pF～0．01μF范围内。当反偏时，ID = -IS，故CD=0 3 变容二极管 PN结总电容CJ = CT +CD，称CJ为的结电容 正偏二极管的扩散电容CD比势垒电容CT大，CJ以CD为主 加反向偏压时，CD=0，CJ以CT为主 二极管高频小信号模型 id id CD CT rd 一般当信号角频率ω较低时，rd l/（ωCJ） ，CD和CT的容抗很大，相当于开路，二极管的小信号模型中只有rd 当频率很高时 如果使二极管反偏，这时CD=0 CD rd id CT 反向电阻rd很大，反偏二极管在高频时可以当作电容器来使用， id CT Uφ为PN结内建电压，CT (0)是反向偏压UD＝0V时的势垒电容。γ称为变容指数 变容管的电路符号 -U+ UΦ UD CT(0) CT 变容管的压控特性曲线 变容二极管 变容管广泛应用于高频电路 *