【精选】74HC573(八进制3 态非反转透明锁存器)74HC573(八进制3 态非反转透明锁存器).pdfVIP

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【精选】74HC573(八进制3 态非反转透明锁存器)74HC573(八进制3 态非反转透明锁存器)

74HC573 八进制3 态非反转透明锁存器高性能硅门CMOS 器件 SL74HC573 跟LS/AL573 的管脚一样。器件的输入是和标准CMOS 输出兼容的；加上拉电阻，他们能和LS/ALSTTL 输出兼容。当锁存使能端为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同步）。当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。 ×输出能直接接到CMOS，NMOS 和TTL 接口上 ×操作电压范围：2.0V~6.0V ×低输入电流：1.0uA ×CMOS 器件的高噪声抵抗特性管腿安排：功能表：输入输出输出使能锁存使能 D Q L H H H L H L L L L X 不变 H X X Z X=不用关心 Z ＝高阻抗 74HC573 最大值范围：符号参数值单位 VCC DC 供电电压（参考GND ） -0.5~+7.0 V VIN DC 输入电压（参考GND ） -1.5~VCC+1.5 V VOUT DC 输出电压（参考GND ） -0.5~VCC+0.5 V IIN 每一个PIN 的DC 输入电流 20 mA IOUT 每一个PIN 的 DC 输出电流 35 mA ICC DC 供电电流，VCC 和GND 之间 75 mA PD 在自然环境下，PDIP 和SOIC 封装下的 750 mW 功耗 500 Tstg 存储温度 -65~+150 ℃ TL 引线温度，10 秒（PDIP ，SOIC） 260 ℃ *最大值范围是指超过这个值，将损害器件。操作最好在下面的推荐操作条件下。＋额定功率的下降——PDIP ：－10mW/℃，65℃～125℃ SOIC ：－7 mW/℃，65℃～125℃ 推荐操作条件：符号参数最小最大单位 VCC DC 供电电压（参考GND ） 2.0 6.0 V VIN,VOUT DC 输入电压，输