光伏组件的PID效应和封装材料的关系-Solarbe.DOCVIP

光伏组件的PID效应和封装材料的关系 一、前言 随着光伏组件大规模使用一段时间后，特别是越来越多的投入运营的大型光伏电厂运营三四年后，业界对光伏组件的电位诱发衰减效应（PID，PotentialInducedDegradation）的关注越来越多。尽管尚无明确的由PID原因引发光伏电站在工作三、四年后发生大幅衰减的报道，但对一些电站工作几年后就发生明显衰减现象的原因的种种猜测使光伏行业对PID的原因和预防方法的讨论越来越多。一些国家和地区已逐步开始把抗PID作为组件的关键要求之一。很多日本用户明确要求把抗PID写入合同，并随机抽检。欧洲的买家也跃跃欲试提出同样的要求。此趋势也使得国内越来越多的光伏电站业主单位、光伏电池和组件厂、测试单位和材料供应商对PID的研究越来越深入。 其实早在2005年，Sunpower就发现晶硅型的背接触n型电池在组件中施加正高压后存在PID现象。2008年，Evergreen报道了PID出现在高负偏压下的正面连接p型电池组件中。在2010年，SolonSE报道在标准的单晶和多晶电池中都发现了极化效应。很快SolonSE和NREL就提出在负高偏压下使用任何工艺生产的P型电池标准组件都存在发生PID现象的极大风险。而CIGS组件的PID效应也有被报道。 二、PID的检测方式 PID测试有两种加速老化的方式： 1）在特定的温度、湿度下，在组件玻璃表面覆盖铝箔、