SiSiO2超晶格结构太阳能电池的制备项目可行性报告.doc

项目可行性报告 项目名： Si/SiO2超晶格结构太阳能电池的制备 申 请 书 正 文 一 立项的背景和意义 随着社会的发展，煤炭、石油等不可再生资源日益减少，寻找和开发新能源成为当前人类面临的迫切课题，不可再生能源在使用过程中对生态环境的影响也不断引起人们的关注。太阳能具有无污染，资源普遍和永不枯竭等特点，该能源符合当今世界环境保护和可持续发展的要求和趋势。太阳能电池是一种利用光生伏特效应将太阳光能直接转化为电能的装置。从上世纪70年代起，许多国家对太阳能光伏发电给予越来越大关注，世界光伏产业以31.2％的平均年增长率高速发展，已成为最受关注，增长幅度最快的产业之一[1]。 目前，全世界总共有23万座光伏发电设备，以色列、澳大利亚、新西兰居于领先地位。美国和日本在世界光伏市场上占有最大的市场份额。美国拥有世界上最大的光伏发电厂，其功率为7MW，日本也建成了发电功率达1MW的光伏发电厂。我国拥有丰富的太阳能资源。据统计，每年我国陆地接收的太阳辐射总量，相当于24000亿吨标煤，全国总面积三分之二地区年日照时间都超过2000小时，特别是西北一些地区超过3000小时。这为我国大力开发太阳能资源提供了可能。而浙江属于日照量四类地区，年日照时间时，年太阳辐射能为1280千瓦时／平方米。目前，浙江省光伏发电主要应用与照明领域，如交通灯、庭院灯、茶园振频式杀虫灯、草坪灯、小区或村庄路灯。我省宁波太阳能电源有限公司是我国最早的和主要的光伏生产企业，主要利用单晶硅绒面技术生产太阳能电池组件及其应用系列产品，年生产能力达20兆瓦。但对于利用多晶硅技术生产太阳能硅片，我省则刚处于起步阶段，有巨大的发展潜力。 早在1839年，科学家们已经开始研究光生伏特效应。二十世纪50年代，太阳能利用领域出现两项重大突破，1954年美国贝尔实验室研制出6％的实用型单晶硅电池，1955年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并成功研制选择性太阳吸收涂层。这两项突破是太阳能利用进入现代发展时期的划时代标志[2]。仅仅经过40多年的时间，太阳能发电已成为空间卫星的基本电源和地面无电少电地区及某些特殊领域的重要电源。第一代太阳能电池采用单晶硅，目前80%以上的民用太阳能电池都由其制成。单晶硅太阳电池批量生产的效率在16%左右，在严格的实验室工艺条件下最高可达到24.7％。但是加工步骤复杂，电耗大，需要大量高纯Si原料导致生产第一代太阳能电池的成本很高。为了降低成本，除了对硅片的加工工艺进行改进外，研究人员也尝试使用廉价的衬底，再在其上沉积有光电活性的涂层，这便形成了第二代太阳能电池（如非晶硅（a-Si），多晶硅（poly-Si），碲化镉（CdTe）以及铜铟硒化合物（CIS））[3]。由于第二代太阳能电池是基于薄膜技术之上的一种太阳能电池，因而大大地减小了半导体材料的消耗（薄膜厚度仅为1微米），也容易批量生产（其单元面积为第一代太阳电池单元面积的100倍），从而极大地降低了太阳能电池的成本，薄膜电池在很大程度上解决了太阳能电池的成本问题，成为当前国际研究开发的重点方向，但是薄膜电池效率很低。目前商用薄膜电池的光电转换效率只有6％8％。只有当制约太阳能电池发展的技术障碍（如薄膜材料的质量，大面积薄膜均匀性，可靠性，稳定性和薄膜生长速率）得到突破以后，大幅度降低太阳能电池的成本才能变为现实。同时，光电转换效率的提高也是降低太阳能电池的成本的一个关键因素。因此，澳大利亚和美国分别提出了第三代太阳能电池的概念，目前第三代太阳能电池主要还在进行概念和简单实验研究。第三代太阳能电池主要有前后重叠电池、多能带电池、热太阳能电池、热载流子电池、冲击离子化太阳能电池和量子阱太阳能电池。目前，量子阱半导体太阳能电池是研制高效率III-V族复合物半导体太阳能电池的有效途径之一[4]，其转换效率的理论值可高达63.2％[5]。目前正式报道的量子阱太阳能电池转换效率来自英国伦敦大学皇家学院K.Barnham教授的研究组，他们的GaAsP/InGaAs多量子阱太阳能电池转换效率为27%[6]。这么高转换率的量子阱半导体太阳能电池己经不断引起欧、美、日等国家研究力量的兴趣与重视。我国虽然有少数研究组在开展III-V族半导体太阳能电池的研究，如中国科学院半导体所、中国科学院上海冶金所、电子18所等单位，但还没有其它研究机构从事量子阱半导体太阳能电池这方面的研究[7]。本项目主要研究Si/SiO2超晶格（量子阱）制备与Si/SiO2超晶格太阳能电池的制备并对电池的性能进行测试与分析。 二 项目主要研究开发（产品开发）内容、技术关键以及科技创新的主要方式。 2.1 研究内容 （1）采用射频磁控溅射法制备Si/SiO2超晶格 势阱和势垒材料之间的理想的晶格匹配是制备低缺陷密度