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模拟电子技术基础简明教程 第三版 第1章 本文由允在花花雨贡献 pps文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第一章 半导体器件 1.1 1.2 1.3 1.4 半导体的特性 半导体二极管 双极型三极管( 双极型三极管(BJT) ) 场效应三极管 1.1 半导体的特性 1. 导体：电阻率 ρ 10?4 ? · cm 的物质。如铜、 导体： 的物质。如铜、 铝等金属材料。 银、铝等金属材料。 2. 绝缘体：电阻率 ρ 109 ?· cm 物质。如橡胶、 绝缘体： 物质。如橡胶、 塑料等。 塑料等。 3. 半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物 半导体： 大多数半导体器件所用的主要材料是硅( ) 质 。 大多数半导体器件所用的主要材料是硅 (Si) 和锗 (Ge)。 ) 半导体导电性能是由其原子结构决定的。 半导体导电性能是由其原子结构决定的。 价电子 硅原子结构 最外层电子称价电子 最外层电子称价电子 锗原子也是 4 价元素 (a)硅的原子结构图 ) +4 4 价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4 个价电子表示。 个价电子表示。 (b)简化模型 ) 图 1.1.1 硅原子结构 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、 完全纯净的 、 不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体。 体称为本征半导体。 将硅或锗材 料提纯便形成单 晶体， 晶体 ， 它的原子 结构为共价键结 构。 +4 共 价 键 +4 +4 价 电 子 +4 +4 +4 当温度 T = 0 K 时，半 导体不导电， 如同绝缘体。 导体不导电 ， 如同绝缘体 。 +4 +4 +4 图 1.1.2 单晶体中的共价键结构 若 T ↑ ，将有少数价 电子克服共价键的束缚成 自由电子， 为 自由电子 ， 在原来的共 价键中留下一个空位—— 价键中留下一个空位 空穴。 空穴。 自由电子和 空穴使 自由电子 和 空穴 使 本 征半导体具有导电能力， 征半导体具有导电能力 ， 但很微弱。 但很微弱。 空穴可看成带正电的 载流子。 载流子。 T↑ +4 空穴 +4 +4 +4 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 图 1.1.3 本征半导体中的 自由电子和空穴 1. 半导体中两种载流子 带负电的自由电子 带负电的自由电子 带正电的空穴 带正电的空穴 2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 空穴对。 称为 电子 - 空穴对。 3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 本征半导体中自由电子 空穴的浓度 自由电子和 的浓度用 表示， 表示，显然 ni = pi 。 4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 由于物质的运动， 不断的复合。在一定的温度下， 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到 平衡，载流子的浓度就一定了。 平衡，载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 载流子的浓度与温度密切相关， 基本按指数规律增加。 高，基本按指数规律增加。 1.1.2 杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体 杂质元素， 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 型半导体( 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导 砷等， 体) 。 价杂质元素有磷、 砷等。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 价元素后， 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子， 个与硅构成共价键， 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度， 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。电 子称为多数载流子(简称多子) 子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子 (简称少子)。 简称少子) +4 +4 +4 自由电子 +4 +5 +4 +4 施主原子 +4 +4 +4 图 1.1.4 N 型半导体的晶体结构 二、 P 型半导体 杂质元素， 在硅或锗的