BN薄膜的高温诱导取向生长研究.pdfVIP

BN薄膜的高温诱导取向生长 ‘ 王 玫，张德学，黄安平，王如志，李健超，王 波，严 辉 (北京工业大学材料学院新型功能材料教育部!点实脸室.北京 100022) 摘 要:本文利用感应栩合式等离子体化学气相沉积 具有的一系列优异物理化学性质in。比如宽的带陈 (PECVDA si(IOOW底上制备BN薄旗.反91气林为 (5.2eV),高电子迁移率、介电常数小、导热性能好 翎沈ByHJ和氮气(N2),拉制一定的分压比和工作气 等:因而在许多领城具有广阔的应用前录.比如可 13.射奴功率为100w,村底a度在500℃到10000 用作扰辐射、高预、大功率、高密度集成的电子签 之间变化.主要研究了沮度对BN薄膜取肉生长的 件等，是微波、光通讯等领城理想的电子鉴件材料。 影响.利用傅立叶史抉红外讲(盯讯)和原子力显崔 更为重要的是取向h-BN具有压电效团,.同时，近 镜(AFM)付制备样品进行了表征，并对高沮诱导BN 来的研究发现 h-BN薄膜具有负的电子亲合势 薄琪取向生长的机理进行了研究。 (NEA),因而h-BN在声表面波舒件、平板显示等领 关健词:氮化翻:取向生长;高沮诱导