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m25p80程序 转自：/blog/cns!FBA4D341BFAE0326!1245.entry MCU:MSP430. 存储器:M25P80(SPI总线) 虽然MSP430本身自带SPI总线模块.但下面的程序并没有用此.而是用普通I/O模拟总线时序进行操作的.详细代码如下: 在调试时,犯了超级无敌白痴错误.我竟然把FLASHRAM编程写入只能有1变0,不能从0到1,结果在调式的时候不断的向首地址写数,然后都给变成0,接下来回读数据全0,当时还以为是自己的时序没搞定呢.无意间换了个地址重写重读,数据正常。/于是乎天才的我认为是首地址已经被我写坏(调试的时候不停的循环写入).接着我象改变的地址重新写一个新数,读出比较,发现数据还是不对.才想起FLASH RAM的这个特点,不象E2RAM可以随改随写.FLASH 要先擦除再写..!切记 /********************************************************************* *公司名称: * *模 块 名： SPI总线FLASHRAM读写模块 * *创 建 人： 日期： * *修 改 人： 日期： * *功能描述： * *其他说明： * *版 本：VER 1.0 **********************************************************************/ #define M25_CLK_0 P4OUT=~BIT2 //时钟置0 #define M25_CLK_1 P4OUT|=BIT2 //时钟置1 #define M25_SI_0 P4OUT=~BIT3 //输入0，上升沿写数据 #define M25_SI_1 P4OUT|=BIT3 //输入1 #define M25_SO (P4IN 0X80)7 //读出数据,下降沿读数 #define M25_CS_0 P5OUT=~BIT2 //片选有效 #define M25_CS_1 P5OUT|=BIT2 //片选无效 #define M25_WP_0 P4OUT=~BIT5 #define M25_WP_1 P4OUT|=BIT5 #define M25_HD_0 P4OUT=~BIT4 //C为低电平时，HOLD下降沿，HOLD模式 #define M25_HD_1 P4OUT|=BIT4 #define WREN 0X06 //写使能 #define WRDI 0X04 //写禁止 #define RDSR 0X05 //读状态寄存器 #define WRSR 0X01 //写状态寄存器，WEL为0不允许写 #define READ 0X03 //读字节 #define FAST_READ 0X0B //快读指令 #define PP 0X02 //页写指令 #define SE 0XD8 //区域擦除 #define BE 0XC7 //批擦除 #define DP 0XB9 //深度掉电模式 #define RES 0XAB //从深度掉电模式苏醒 #define uchar unsigned char #define uint unsigned int /********************************************************************* * * 函 数 名:Delay * 功能描述: 延时子程序 * 函数说明: * 调用函数: * 全局变量:无 * 输 入: 无 * 返 回: 无 * 设 计 者 : 日期： * 修 改 者： 日期： * 版 本：VER 1.0 ***********************************************************************/ void MDelay(uint ui_temp) { uint ui_i; for(ui_i=ui_temp;ui_i0;ui_i--) {