11～12 GHz单电源GaN微波功率放大模块研制.docVIP

11～12 GHz单电源GaN微波功率放大模块研制 嵇妮娅 汤茗凯 唐世军 南京电子器件研究所 X 关注成功！ 加关注后您将方便地在 我的关注中得到本文献的被引频次变化的通知！ 新浪微博 腾讯微博 人人网 开心网 豆瓣网 网易微博 摘????要： 报告了采用凹槽栅场板结构的Ga N微波功率HEMT管芯, 优化了场板结构和工艺参数, 制作了0.8 mm和2.4 mm栅宽的管芯。采用该管芯制作了两级放大的功率模块, 该模块匹配电路制作在380μm厚的Al2O3陶瓷基片上, 匹配电容制作在180μm厚的高介电常数的陶瓷基片上。电感采用25μm直径的金丝拟合, 电路结构采用单电源结构。该模块在11～12 GHz、28 V工作电压下, 饱和输出功率达到了8 W, 功率增益为12 d B, 功率附加效率 (PAE) 为30%, 实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。该模块是迄今为止采用单电源结构频率最高的Ga N功率模块。 关键词： 氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 功率放大模块; 作者简介：嵇妮娅 (1981—) , 女, 江苏泰州人, 工学学士, 工程师, 2003年毕业于南京航空航天大学, 现为中国电子科技集团公司第五十五研究所工程师, 主要研究方向为微波功率放大器的生产与管理。 收稿日期：2017-07-31 The Development of an 11～12 GHz GaN Microwave Power Amplifier Module of Single Power Supply JI Niya TANG Mingkai TANG Shijun Nanjing Electronic Devices Institute; Abstract： An 11～12 GHz power amplifier module of single power supply has been developed. This module is based on 0.8 mm and 2.4 mm Ga N HEMTs with optimized field-plate structure and process. All the internal matching circuits are fabricated on Al2O3 ceramic substrate of 380 μm thickness, and the matching capacitors are fabricated on high permittivity ceramic of 180 μm thickness. The matching inductors are realized of gold bonding wires of 25 μm diameter. During the frequency band of 11～12 GHz and under 8 V supply voltage, the module can realize 8 W output power, 12 d B power gain and 30% power added efficiency (PAE) simultaneously. The measurement results indicated that a low operation current, high efficiency, high reliability and applicable power amplifier module has been realized. As a power module with single power supply, it operates at the highest frequency band state of art. Keyword： GaN; HEMT; power amplifier module; Received： 2017-07-31 1 引言 Ga N HEMT功率模块具有输出功率大、输出功率附加效率高、耐高温等特性, 在微波、毫米波领域具有很好的应用潜力, 在国内外得到越来越广泛的关注。国内外多篇文章报道了X波段Ga N HEMT功率管和功率芯片的进展, 功率密度达到了Ga As产品的5~10倍, 但采用单电源结构的Ga NHEMT功率模块鲜有报道。 本文利用Si C衬底上的Ga N异质结材料, 成功研制了工作于X波段的Ga N HEMT器件, 该器件通过结合凹槽栅和场调制板两者的优点, 有效抑制了电流崩塌, 提高了器件微波功率特性和可靠性, 为批量化实用迈出了重要的一步。本文研制的2.4 mm栅宽器件在