Si100衬底上CeO2薄膜的外延生长及其电学特性研讨.pdfVIP

200)(年 10月 ·广西 ·北海 论第七届全国固体薄膜学术会议 Si(100)衬底上 夕卜延生长 及其电 康晋锋，王玮， 北京大学微电子所，北京 100871 1.引言 随着MOSFET器件特征尺寸缩小到亚。.1)nn的尺度范围。利用传统的Si0:作为栅介质 的厚度将小于 3nm。在这样的尺度下，栅氧化层上承受的电场和量子直接隧穿效应将变得 显著，由此引起的姗介质的偏电流和可靠性成为十分严重的问题。于是人们提出利用具有 高介电常数的高K介质材料替代传统Si02作为解决间题的途径。新型高K栅介质材料及其 相关工艺研究因此成为当前国际前沿性的热门课题之一。其中，高K栅介质薄膜与si界面 高的缺陷态密度是影响高K姗介质应用的主要因素之一，也是当前高K栅材料研究的一个 重要课题之一。CeO,介质材料具有简单的CaF:立方晶体结构、较高介电常数 其〔相对介电 常数为26),稳定的化学性质，且与si有很好的晶格匹配，是良好的硅基介质材料的候选 者 卜‘，，。与多晶和非晶薄膜相比，外延薄膜具