ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善.docx

DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2014．02．009ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善张红伟，高剑琴，曹永峰，彭树根(上海华力微电子有限公司，上海201203)摘要:栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素，提高栅氧化层的均匀 性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性气体，在高温下对原位水汽氧化法形成的 栅氧化层进行实时退火处理。实验结果表明:与没有经过高温N2实时退火处理的栅氧化层相比，经过高温N2实时退火处理的栅氧化层表面均匀度可提高40%左右，栅氧界面态总电荷可减少一 个数量级。PMOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1%样品失效时间(t0.1%)和50%样品失效时间(t50%)分别提高28.6%和40.7%。关键词:原位水汽生成(ISSG);氮化工艺;栅氧化层;界面态;负偏压不稳定性(NBTI)中图分类号:TN305.5;TN305.2文献标识码:A文章编号:1003－353X(2014)02－0124－04ImprovementofISSGandItsNitridationProcessonthePerformanceoftheThinGateOxideZhangHongwei，GaoJianqin，CaoYongfeng，PengShugen(ShanghaiHualiMicroelectronicsCorporation，Shanghai201203，China)Abstract:Gateoxidebreakdownandleakageareimportantfactorswhichhinderthedevelopmentofthesemiconductorintegratedcircuit．Improvetheuniformityofthegateoxidecangreatlyimprovetheper-formanceofthegateoxide．HightemperatureN2real-timeannealingtreatmentwasperformedtothegate oxideatin-situstreamgeneration(ISSG)oxidationprocesswithintroductiontheinertgassuchasN2．TheexperimentalresultsshowthattheuniformityofgateoxideafterhightemperatureN2real-timeannea-lingtreatmentcanbeincreasedby40%，thetotalchargeoftheinterfacecanbedecreaseanorderofmagnitude．ThePMOSdevicenegativebiastemperatureinstability(NBTI)testshowsthatthelifetimeof0.1%samplesfailure(t0．1%)and50%samplesfailure(t50%)canbeincreasedby28.6%and40.7%，respectively．Keywords:in-situstreamgeneration(ISSG);nitridationprocess;gateoxide;interfacestate; negativebiastemperatureinstability(NBTI)EEACC:2550A0引言随着超大规模集成电路(verylargescaleinte-gratedcircuit，VLSI)和特大规模集成电路(ultralargescaleintegration，ULSI)的飞速发展，MOS器 件的尺寸不断地减小。在器件尺寸等比例缩小的同 时，工作电压却没有相应地等比例缩小，这就使得基金项目:国家重大科技资助项目(2011ZX02501)E-mail:zhanghongwei_td@hlmc．cn薄栅氧化层中的电场强度增大，器件的击穿电压降 低;另一方面，栅氧化层中存在的缺陷和氧化层表 面不均匀等会造成局部电场集中，容易产生内部放 电而形成许多导电通道，降低击穿电压。此外，在 氧化层中存在正电荷的情况下，当栅氧化层厚度不 均匀时，在较薄区域内的局部电场很强，使势垒尖端的厚度变薄，在负栅电压时即会产生隧道电流， 从而形成漏电流。孙凌等人［1］对超薄栅氧化层的电学特性研究 表明击穿和漏电严重影响器件电路的电学特性和可靠性，表面粗糙度与栅氧化层的漏电流呈正比，表 面不均匀容易形成局部突起而降低击穿电场与漏电流突增，一般而言，表面粗糙度增加一倍，漏电流增加两个数量级。由此可见，提高栅氧化层的均匀 性对改善击穿和漏电现象的重要性。2目前