三种LTO磁头性能分析与比较.docx

三种LTO磁头性能分析与比较邓俊彦1，邓沛然2(1.东莞理工学院城市学院实验中心，广东东莞523106;2.上海工程技术大学材料工程学院，上海201620)摘要：由惠普、IBM和希捷公司共同开发的线性磁带开放技术（LTO），自问市10周年以来，其驱动器发货量现已超过330万件，是现在服务器储存市场的主流产品。LTO制式产品的前三代产品均采用各向异性磁电阻磁头，本文详细地研究了三代LTO磁头的设计和关键功能参数，结果表明，写线圈的多种设计均能满足产品要求，磁电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度是影响磁头性能的主要因素，磁头的性能随磁电阻材料NiFe的厚度的减小会有所下降。关键词：线性磁带开放技术；各向异性磁电阻磁头；性能中图分类号：TQ587.5文献标识码：B文章编号：1001-3830(2012)01-0071-04AnalysisandcomparisonofthreegenerationsofLTOmagneticheadsDENGJun-yan1,DENGPei-ran21.LabCenter,CityCollege,DongguanUniversityofTechnolody,Dongguan523160,China;2.SchoolofMaterialsandTechnologyEngineering,ShanghaiUniversityofEngineeringScience,Shanghai201620,ChinaAbstract:TheLTOwasdevelopedbyHP,IBMandSeagate,andmorethan3300thousandsofdrivershavebeenproducedsinceLTOwaspushedtomarket10yearsago,andbecomethemarketmainstreamnow.Allthreegenerationsofproducts,LTO1,LTO2andLTO3adoptanisotropicmagnetoresistiveheads.Theirdesignandkeyfunctionparameterswereanalizedandcompared,andtheresultsshowedthatdifferentwriterdasignscanmeetrequirement.ThethicknessofNiFeandSAL(CoZrMo)isthemainfactorsaffectingtheperformanceofmagneticheads,andtheperformanceofmagneticheadsdecreaseswithdecreasingtheNiFethickness.Keywords:LTO;anisotropicmagnetoresistiveheads;performance压缩比例为2∶1，未压缩的传输速度分别为201引言随着信息产业的不断发展,数据存储变得越来越重要,线性磁带开放技术（LTO）系列磁带存储产品采用开放的存储标准，自2000年发布至今，在世界范围内处于领先地位。LTO存储格式具有容量大、速度快的特点。它的发展潜力非常可观，每一代新产品在性能及速度上都是上一代的倍数，同时，新一代产品对旧产品兼容。LTO1~3是该系列的三代产品，原始容量分别是100Gbyte，200Gbyte和400Gbyte，数据的平均MB/s，40MB/s和80MB/s，在半英寸磁带上的磁道数分别为384，512和704。LTO1~3磁带机的核心部件磁头为各向异性薄膜磁电阻（AMR）磁头，AMR磁头使用线圈产生的磁场来完成写操作[1]，但用各向异性薄膜磁电阻材料作为读元件。在有磁场存在的情况下，薄条的电阻会随磁场而变化，进而产生很强的信号[2]。图1为各向异性薄膜磁电阻磁头单个信道读写器结构示意图，磁极P1、P2和线圈组成记录信号的“写”部分，磁极P2、P3和MR薄膜材料(NiFe，SAL)组成“读”的部分，PM为永磁材料CoCrPt，它的功能是确保MR内部的磁畴磁矩方向一致，在信收稿日期：2011-07-05修回日期：2011-09-01通讯作者：邓俊彦E-mail:djygz@163.com磁性材料及器件2012年2月71P1表2磁头“读”的设计参数线圈写入隙磁头NiFe长度TaNiFeTaCoZrMoTaGap1Gap2μmnmnmnmnmnmnmnmLTO1LTO2LTO3201055554433213333322.515555170140120140120100读出隙屏蔽P2MRPM图1薄膜记录读写器结构示意图屏蔽P3号磁场的作用下一致运动，磁头工作时更稳定、灵敏度更高。为简化设计和制造，两者共用一个P2极。在磁带经