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集电极 集电结Jc 发射结Je N 基区 P 发射区 P 发射区 c c 发射极 e 基极 b （a）结构示意图 （b）符号 1.3.2 PNP型三极管 （a）结构示意图 （b）符号 图1.3.1 NPN型三极管 集电结Jc 发射结Je P 基区 N 发射区 N 发射区 集电极 c c 发射极 e 基极 b * 1.3.2 三极管放大原理 1．三极管的偏置 放大电路中的三极管都需要提供直流电源， 并得到一个合适的偏置。 * 由于三极管有两个PN结，所以偏置的方式有四种： 发射结正偏、集电极反偏； 发射极反偏、集电结正偏； 二结均正偏； 二结均反偏。 放大电路中的三极管的偏置应为发射结正偏、集电结反偏。 NPN型三极管，UCUBUE ； PNP型三极管， UCUBUE。 * （a） （b） 图1.3.3 三极管的直流供电电路之一 （a）NPN型三极管的直流供电电路 （b）PNP型三极管的直流供电电路 * （a） （b） 图1.3.4 三极管的直流供电电路之二 （a）NPN型三极管的直流供电电路 （b）PNP型三极管的直流供电电路 * 图1.3.5 NPN三极管内部载流子的运动 2．三极管的电流分配关系 * 半导体三极管内有两种载流子参于导电，故称为双极型三极管（BJT）。 图1.3.6 三极管的电流分配关系 * 由节点电流定律，有 IE = ICN ＋ IBN （1.3.1a） IB = IBN － ICBO （1.3.1b） IC = ICN ＋ ICBO （1.3.1c） 由上述三式可得 IE = IB ＋ IC （1.3.2） * 定义 （ 1.3.3a） 称为共基极直流电流放大系数，其值一般在0.95至0.995之间； 定义 （1.3.3b） 称为共发射极直流电流放大系数, 其值一般在几十至几百之间。 * 由于ICBO一般很小，若忽略ICBO ，则有 IB ≈ IBN （13.4a） IC ≈ ICN （1.3.4b） IE = ICN ＋ IBN = IB ＋ IC （1.3.4c） （1.3.5a） （1.3.5b） * 因此， （1.3.6） （1.3.7） 且有 (1.3.8a) (1.3.8b) * 若考虑ICBO，则由式（1.3.1）、（1.3.2）和（1.3.3）得 (1.3.9) 上式第二项用ICEO表示，即 于是 通常称ICEO为穿透电流，或集电极.发射极间反向饱和电流。 * 管子各极的电流及方向如图2.1.7所示。PNP型管的各极电流方向与NPN型管相反，但电流分配关系完全相同。 三极管三个电极的电流中，IB 最小，IE最大，IC ≈IE ,即 IE＞IC＞IB 。 （a） （b） 图1.3.7 三极管各极的电流及方向 （a）NPN型 （b）PNP型 * 1.3.3 三极管的共射特性曲线 采用共射接法的三极管的特性曲线称为共射特性曲线。 三极管有三个电极，