实验 电路元件伏安特性li.pptVIP

实验4.1 电路元件伏安特性的研究 …………………………P101  选择二极管2CW51 ，按照下图的测试电路完成反向特性测 试。将测试数据填入表中。  * * 国家工科电工电子基础教学基地 国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 实验4.2 半导体器件的图测方法 …………………………P105 实验目的： 学习测量电路元件VCR特性的逐点测试方法； 学习半导体管特性图测方法的基本原理； 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法 ； 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 电路元件的VCR特性的逐点测试方法 线性电阻元件的VCR特性： 过原点的一条直线: I U 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 电路元件的VCR特性的逐点测试方法 半导体二极管的VCR特性： 正向特性: I U 反向特性: 反向击穿特性 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 电路元件的VCR特性的逐点测试方法 如何获得VCR特性曲线? ———— 描点 I U 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 + 稳压电源 － 实验内容1-（1） 电路元件的VCR特性的逐点测试方法 电阻元件的VCR特性测试电路： V mA 二极管的VCR特性测试: + 稳压电源 － R V mA D 正向测试？ 反向测试？ mA 内容1-（2、3） 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 BJT的共射输出特性曲线的逐点测试方法 BJT的共射输出特性曲线： 测试过程： 每固定一个iB值，改变Ec使uCE从零逐步变化到某一定值，测出一组uCE—iC的值，描绘出一条iB为一固定值的iC =f（uCE）的曲线；再改变一个iB值，重复上述过程，可得到另一条曲线。以此类推，便可得到不同iB时对应的一组共发射极晶体管的输出特性曲线。 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 半导体管特性图示仪： 半导体管特性的图测法 是一种利用电子扫描原理，在示波管的荧光屏上直接显示半导体管特性曲线的仪器。 为了进行所谓动态测量，可用集电极扫描电压代替可调直流电源EC，用一个阶梯波电压发生器代替提供基极电流的可调直流电源Eb，得到如下图所示的动态测量系统。 动态测量系统： 用集电极扫描电压代替可调直流电源EC，用一个阶梯波电压发生器代替提供基极电流的可调直流电源Eb。 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 图示仪原理框图： 半导体管特性的图测法 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 测试台部分 Y轴作用部分 X轴作用部分 阶梯信号部分 集电极扫描信号部分 图示仪面板主要有: 测试台部分 阶梯信号部分 集电极扫描信号部分 Y轴作用部分 X轴作用部分 电子技术实验基础 电子科大国家级实验教学示范中心 实验内容 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心 （1） 线性电阻的VCR特性测试 按照电路图接好电阻元件和仪器，逐一进行点测，并填写在 下表： U(v) I(mA) 10 8 6 4 2 0 510Ω － + 稳压电源 － V mA R 1. 电路元件的VCR特性的逐点测试 实验内容 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心 （2） 二极管的正向特性测试 选择二极管2CW51 。按照下图电路进行正向特性测试，数据填入表中。 U(v) I(mA) 0.8 0.7 0.6 0.4 0.2 0 2CW51 + 稳压电源 － V mA D 现代电子技术实验 实验内容 （3）二极管的反向特性测试 + 稳压电源 － V D mA 40 80 I(mA) U(v) 50 30 20 10 2CW51 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心 实验箱 现代电子技术实验 实验内容 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心 2. 半导体管特性的图测法 （1）测量线性电阻的VCR特性 选择一个线性电阻插入插座中，在电阻两端逐渐增加电压至5V，观察波形。根据波形，绘出该电阻的特性曲线。 注：测试时功耗电阻置于1k （2）测量稳压二极管的正向特性和反向特性 在同一座标上绘出二极管正反向特性曲线。并测试出以下参数： （a）正向导通（门槛）电压。 （b）反向稳定电压Vz（IR=5mA时）。 （c）反向电流IR（VR =5V时）。 电子技术实验基础 电子科大国家实验教学示范中心 实验内容 （3） 测量晶体管的输出特