LaONSiO2和HfONSiO2双隧穿层MONOS存储器存储特性的比较.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 23 (2013) 238501 LaON/SiO2 和HfON/SiO2 双隧穿层MONOS 存 储器存储特性的比较* † 何美林 徐静平 陈建雄 刘璐 ( 华中科技大学, 光学与电子信息学院, 武汉 430074 ) ( 2013 年6 月19 日收到; 2013 年8 月25 日收到修改稿) 本文对比研究了LaON/SiO2 和HfON/SiO2 双隧穿层MONOS 存储器的存储特性. 实验结果表明, LaON/SiO2 双隧穿层MONOS 存储器具有较大的存储窗口, 快的编程/擦除速度及好的疲劳和保持特性. 其机理在于LaON 较大 的介电常数有效提高了编程/擦除过程中载流子的注入效率, 较小的O 扩散系数减少了界面陷阱, 从而减少了保持 期间存储电荷通过陷阱辅助隧穿的泄漏.