ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 8# # %8 # ， ， ， 0WX -8# 2W -# Y?IX %8 （ ） !=4%$H%8H8# # H !’#=8 9: K+V,19 ,1219 %8 9PI) - KPZ[ - ,WG - !# 退火条件对硫化法制备的!$ 薄膜特性的影响! 王宝义 张仁刚 张 辉 万冬云 魏 龙 （中国科学院高能物理研究所，北京 !#$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）