单端正励变换器的建模及应用仿真.doc

单端正励变换器的建模及应用仿真 按照输入与输出间是否有电气隔离，可分为非隔离DC/DC变换电路和带隔离变压器的隔离DC/DC变换电路。 根据电路中主功率开关器件的个数，分可为单管、双管和四管三类。 单管隔离：正激(Forward)和反激(Flyback)； 双管隔离：推挽（Push-Pull）和半桥(Half-Bridge)； 四管隔离：全桥（Full-Bridge）。 根据变压器的磁芯磁复位方法的不同，正激电路包含多种不同的拓扑结构。在电路输入端接复位绕组是最基本的磁芯磁复位方法。 单端正励变换器的电路，如图1所示。开关S采用PWM控制方式、VD1是输出整流二极管、VD2是续流二极管、L和C是输出滤波电感和滤波电容。隔离变压器有三个绕组，原边绕组W1，匝数N1；副边绕组W2，匝数N2；复位绕组W3，匝数N3。绕组中标有“?”的一端为同名端。VD3是复位绕组W3的串连二极管。 图1单端正励变换器原理图 图2开关S导通 图3开关S关断 单端正励变换器工作原理分析 正激电路在一个开关周期内经历开关导通、关断2个开关状态，如图2和图3所示。对应于一个开关周期T的两个时段：t0~t1和t1~t2。 ① t0~t1时段 在t=t0时刻，开关S受激励导通，变压器励磁，绕组W1的电压uW1为上正下负，副边绕组W2的电压也是上正下负，输出整流二极管VD1导通，续流二极管VD2截止，输出滤波电感L电流iL逐渐增长。 (1) (2) 由（1）和（2）可得： (3) 在这一时段，加在滤波电感L上的电压为uW2-Uo，于是有 (4) 当t=t1,Δt1=t1-t0=t∞时，iL从最小值ILmin,iL的增加量 (5) 式中，D=ton/T,称为占空比；ton为开关S的导通时间。 ② t1~t2时段 在t=t1时刻，开关S关断。变压器励磁，原边绕组W1的电压uW1和副边绕组电压uW2变为上负、下正。整流二极管VD1关断，续流二极管VD2导通，输出滤波电感电流iL通过续流二极管VD2续流，并逐渐下降。 当t=t2,Δt2=t2-t1=toff时，iL从最大值ILmax线性减到最小值ILmin，iL的减小量 (6) 此时变压器复位绕组W3电压uW3为上正、下负，二极管VD3导通。变压器励磁电流经复位绕组W3和VD3流回输入端，变压器磁复位。在变压器磁复位未完成前，即t1~tr时段，开关S承受的电压为: (7) 变压器磁复位完成后，即tr~t2时段，开关S承受的电压uS=Uin。 图4正激电路磁复位过程 在正激电路中，变压器磁复位过程非常重要，如图4所示。开关S开通后，变压器的励磁电流im由0开始，随着时间的增加而线性增长，直到开关S关断。开关S关断后到再一次开通的时间内，必须设法使im降回到零，否则下一个开关周期中，im将在本周期结束时的剩余值基础上继续增加，并在以后的开关周期中依次累积，变得越来越大，从而导致变压器的励磁电感饱和，励磁电感饱和后，im会更加迅速地增长，最终损坏电路中的开关器件。因此，使im降回到零的过程称为变压器的磁复位。 根据变压器在t0~t1时段磁通的增加量等于在t1~tr时段磁通的减小量，等效为图4中两阴影矩形面积（电压伏秒面积）相等，可以得出从开关S关断到励磁电流电流im下降到0所需的复位时间为： (8) 只有保证tofftrst，能使变压器磁芯可靠复位。 在输出滤波电感电流iL连续的情况下，即开关S开通时，电流iL不为0，正激电路的输入输出电压关系为： (9) 可见，正激电路的输入输出电压关系和降压（Buck）型电路非常相似，仅有的差别在于变压器的变比。实际上，正激电路就是一个插入隔离变压器的Buck电路。输入输出电压关系可以看成是将输入电压Ui按变压器的变比折算至变压器二次侧后，根据Buck电路得到的。 由于变压器磁通仅单方向变化，故称之为单端变换器；由于在开关导通时电源将能量直接传至负载，所以成为称正激电路。 单端正励变换器的matlab仿真 仿真步骤如下： （1）打开MATLAB7.0，新建一个model文件。 （2）找到所需元件，将元件放置到模型板上，并使用导线连接元件模型。 仿真电路图见附页1。 （3）设置参数，具体如下： 直流电压源：amplitude设为100v； IGBT：Snubber resistance设为1500Ω，其它值为默认； 脉冲发生器Pulse Generator：period设为1e-4，pulse width设为40（占空比为0.4），其它为默认。 变压器参数设置如图4所示。 按下start键，仿真电路开始运行，双击scope查看仿真波形，见附页2。 将脉冲发生器的pulse width设为30（占空比为0.3），其它参数不变