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- 2017-12-31 发布于中国
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数字电路与逻辑设计
第二章(2 )
1
2.5.3 TTL逻辑门的动态特性
i
平均传输延迟时间tpd
o
由于逻辑门内部晶体管存在着
电荷存储效应( 电容效应) ,
逻辑门对输入信号变化(边沿) i 1 V
的响应不能立即完成。存在着 2 im
过渡过程,其过渡时间用 1V
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