第二章逻辑门电路方面.pdfVIP

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  • 2017-12-31 发布于中国
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数字电路与逻辑设计 第二章(2 ) 1 2.5.3 TTL逻辑门的动态特性 i 平均传输延迟时间tpd  o 由于逻辑门内部晶体管存在着 电荷存储效应( 电容效应) , 逻辑门对输入信号变化(边沿) i 1 V 的响应不能立即完成。存在着 2 im 过渡过程,其过渡时间用 1V 

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