SiCWAl2O3复合材料残余应力分析.pdfVIP

SiC,/AI,O,复合材料残余应力分析/)k3晓峰等 。253 · Sic韶A1,O,复合材料残余应力分析 彭晓峰 张玉峰 黄校先 宋历听 胡行方 (高性能脚瓷材料和超徽结构国家重点实验室 中国科学院上海硅艘盐研究所.上海200050) 摘奥 利用Eabelby模型计葬了峨化硅晶从补江乳化铝友合材扦中的晶须含全对残余应力的形响，与X-ray 衍封侧黄的盆怪进行比软，两者结果非常接近。随璐晶烦含黄的增加，基体A卜O,中戏余张应力姆加，而破化硅晶须申 的残余压应力降低. 关健词 %GlAl,O,X合材料 残余rx力 ‘hdby徽型 StudyontheResidualStressesofSiliconCarbide Whisker-reinfdrcedAluminaComposites PengSianfeng ZhangYufeng HuangXianxian SongLixin HuXingfang (ShanghaiInstituteofCeramics.ChineseAcademyofSciences.Shanghai200050) Abstracts Thedependenceoftheresidualstressesofsiliconcarbidewhisker-reinlomedaluminacomposites onwhiskersconcertrationwasstudiedbyX-raydiffraction.Themeasuredvaluesoftheresidualstresseswerecom- paredwiththecalculatedonesusingtheschemeoftheelasticellipsoidalinclusionofEshelbymodelandregardingthe whiskersasprolnteellipsoids.Theresultsrevealed:bothvaluesarealmostidentical,theresidualstressinmatrix AIrO,increasesbutthatinSicwhiskersreduceswithanincreaseinwhiskersconcentration. Keywords SiC./A1,0,composite.residuaistress.Eshelbymodel 射仪上进行.为了尽A减少误差一般选取大角衍射法.A1,0, 0 引宫 的衍射峰位t选在(324).28:116*.所选用的实脸坐标与简化 晶须补强复合材料的力学性能在很大程度上取决于晶须 坐标如图1。其中.5为样品表面正交系统,L。为实脸系统,L, /墓休的界面结合状况J]i.肉瓷荃复合材料要求的化学结合 为侧t面法向。晶面间距d,.从给定(hkD衍射峰位置获得.经 弱.以获得较高的断裂韧性.在Sic.晶须补强氧化铝体系中， 一系列推导，最后有: 由于峨化硅与氧化铝的化学相容性，故界面康探力是主要结 它，〔:)佃一dd-,d.-一 ，，。，+。】二sinMsin.p+一 合力.而界面床擦力又主要由残余应力来决定，故研究肉瓷材 sin0sinP,+ccosP(+cucosOsin2pl+ci,sinOsin2cp (17 料的残余应力对干提高南瓷材料的力学性能及在实际应用过 程中的可靠性具有重要意义。对干碳化硅晶须补强权化铝复 合材料(SIC一Al,O,)面言 由于sic晶须的热膨胀系数(。.二 4.7X10-`K-)与Al,q的热膨胀系数(n,.=8.8X10-K-1) 相差较大。因而在材料树务过程中，从烧结盗度冷却到室砚 时.材料内部存在有较高的热残余应力、如何表征及研究其作 用一直是材料科学家所关注的热点。普遍的方法是通过X- rays-7与中子衍射is-,