SIMOX材料及SIMOXCMOS器件的研究.pdfVIP

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2018-01-02 发布于广东
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SIMOX材料及SIMOXCMOS器件的研究.pdf

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SIMOX材料及SIMOX-CMOS器件的研究’ 诀过 J 占温梦全李︸场北〔京航空航天大学理学院物理系，北京，100083) 叹近年来，SOI(SiliconOnInsulator)技术成为十分活跃的研究领域，用 SOl材料制作的器件寄生电容小，无门锁现象，可制作高速、低功耗、高集成度、耐高温、抗辐射等优良特性的器件，具有广阔的应用前景，除去在民用中有很大的应用价值外。在航空、航天及军事系统中有特殊的重要意义。目前，SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)技术可称为众多SOI技术的主导。本文介绍关于SIMOX材料的研究以及用制备的SIMOX材料制作 SOUSIMOX CMOS与非门电路的工作111。一、SIMOX材料及器件的制作 I.SIMOX材料的制备采用电阻率p=10-2Mcm的p型100单晶硅，在 “01C衬底温度下，经能量170 kev、剂量 1.5x1011/Cm的氧离子注入后，再经过 13000C的高温下，在氮气中退火 6 小时，最后形成 SIMOX 材料。所得 SIMOX材料的扩展电阻和俄歇电子能谱测试图如图 1和图2所示，可以看出，形成的 SOI结构中，表层硅膜厚约为 2000A 表面浓度 N=1刘。，“/C衬，又经霍耳测试仪测试，SIMOX样品的表层硅已经反型为N型。滋 1001r一一一一一、一一一一一- 一一.-I 100r-- .一一一.一 0 u 几次之、砚之奈侧餐经 0 写串切小居娜 23.2 34.a 4s 2 4 巧溅射时间/mnl 一距表面的距离/X工。，人图 I 图2 ，本项目受北航理学院科研基金支持。 e s w e e s 十 -683-曰