SnO2薄膜的PECVD制奋及其电特性.pdfVIP

Sn02薄膜的PECVD制备及其电特性’ 刘彭义 陈俊芳 赞南大学物理系 华南师范人学物理系 摘妥用PECV。方法制备出Sn02薄膜，利用双探针技术诊断出等离子体反应器 内电子密度的分布，并分析了电子密度、沉积温度、氧气流童对薄膜电阻的影 响及掺的Sn02薄膜石油液化气和一氧化碳气教特性. 关健词:SnO2薄膜;电子密度;方块电阻;气敏特性 Sn02是一种宽带半导体材料，其能隙Eg=3.5eV,Sn02薄膜又是一种透明度很 高的薄膜，这些特性使它在很多领域得到了广泛的应用，如作为太阳能电池的窗口 材料 【’，‘气敏传感器的敏感材料r2,”，透明加热膜等川，因此对它的结构和特性研究 有重要意义. 制备SnO薄腆的方法很多，主要有烧结法，气相沉积法、电子束蒸发isi和溶胶 一凝胶法r[ai，而利用低温等离子体增强化学气相沉积制备薄腆是一