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SU-8厚胶光刻工艺研究 唐敏 陈迪 赵小林 倪智萍 朱军 李昌敏 毛海平 (上海交通大学徽纳米科学技术研究院，上海200030) 摘要 本文对一种新的负性近紫外光刻胶SU-8的光刻工艺进行了详细研究.SU-8是一种基 于环孰树脂的光刻胶，专为要求超厚和高深宽比的MEMS应用而设计，但它对工艺参教的改 变昨常敏感，难于控制.本文以30p。厚的SU-8为例，详细讨论了前烘温度和时间、曝光 时间 ‘中供温度和时问、显影方式和时问这四个控制要素对光刻胶图形质贡的影响.得到的 SU-8光刻胶图形侧壁外形陡直，深宽比大(10)，分辫率高(可制出线宽为5um，甚至2 ”。的图形)，与衬底的附着性强，有望为MEMS提供低成本LIGA型应用. 关键词SU-}高深宽比;UV-LIGA 1.引言 高深宽比的微加工金属结构有许多重要用途，但现在还只有少数技术可以获得这种结 构.电镀金属到模具中证明是一种有用的方法。其中可作为模具的材料有PMMA(利用 “LIGA 技术)m.硅深层反应离子刻蚀 (D.R.I.E)和需多次甩胶才可得到的厚酚醛树脂光刻胶。这 些方法都有欠缺的地方:LIGA需要昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板，工艺难度大。成本 高;硅不是绝缘体