ZnTeCu多晶薄膜的结构与反常电导温度行为研究.pdfVIP

ZnTe:Cu多晶薄膜的结构与反常 电导温度行为研究* 张静全” 武莉莉’邵烨三周心明:冯良桓 ‘蔡伟t 郑家贵’J.Tang 蔡亚平’黎兵 ‘ (1四川大学 材料科学系 成都610064 2 责,)fl师范大学 物理系 贵阳 550001) (3PhysicsDepartment,ColoradoSchoolo#Mines.Colorado.USA 摘 要:室温下共蒸发沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜存在反常电导温度行为。对刚沉积ZnTe:Cu多晶薄 膜的暗电导温度行为，及不同温度退火处理后样品的结构进行了研究。用热场发射晶界势垒模型解释 了实验结果。刚沉积的ZnTe:Cu多品薄膜，铜原子土要存在于品粒间界。随温度增加，铜原子离化并 进入晶粒内部，导致ZnTe:Cu立方相一六方相一立方相的结构转变和类Cu1.44Te正交相的形成。铜原 子离化使受主浓度增加，因而使晶界势垒相应变化，这两种机制共同决定了ZnTe:Cu多晶薄膜的反常 电导温度行为。 关键词:/II-VI族化合物半导ZnTe:Cu多品薄膜，相变，电输运 0 引言 磅化锅基太阳电池是现在主要发展的三种薄膜电池之一。由于磅化锡的电子亲合势为4.3eV较 高，而且存在自补偿效应，难以实现重掺杂。因此，在p-CdTe上制备稳定的欧姆接触背电极，成为 CdTe基太阳电池研究中的难点[1]。可行的解决方案是在CdTe吸收层和金属背电极之间沉积P型重掺 杂的背接触层，由隧道输运机制保证欧姆接触的实现。ZnTe和CdTe的价带不连续值接近于零，带隙 2.26eV，可实现N或Cu的P型重掺杂郎]，是合适的背接触层材料。 背接触p-ZnTe层的费米能级对于背电极欧姆接触的实现有决定性的影响。费米能级与薄膜的制 备和后处理工艺相关。我们在以前的L作中，发现中掺杂的ZnTe:Cu薄膜存在反常的电导温度关系 [4.5]即ino-1000/T曲线存在常规半导体不同的负温度系数区域，电导率极值对应的温度与铜含量 有关。但是反常电导行为的内在成因尚不清楚，本文即从物相、结构变化角度，基于热场发射晶界势 垒模型，研究其形成机理。 1.实验 ZnTe:Cu薄膜用真空共蒸发系统沉积制各，背底真空W 毛，衬底温度室温，衬底为显微镜用载 波片。ZnTe和Cu源都为Johnson-Matthey公司生产的纯度为5N的粉末。用石英膜厚监控仪在线监控 薄膜的厚度和沉积速率，并根据A4计厚度计算掺杂浓度，结果与用电子探针微分析(EMPA)检测的结 果一致。 退火处理在氮气保护下进行，暗电导率测试在真空中进行，使用共面条型金电极，用二探针或四 探针技术测量。XRD测试在Ringku衍射仪上进行，使用CuKo辐射。 *本研究得到国家自然科学基金 119 2.结果和讨论 如图1所示，未掺杂的ZnTe薄膜，暗电导率(“。(T))温度关系与常规半导体的载流子热激活 输运特征一致。刚沉积的样品和真空中冷却后第二次测量的样品具有相同的电导激活能乓:一。.25eV, 刚沉积的样品和1450C-2750C热处理后的样品均为ZnTe立方相结构 (见图2), 如图3所示，掺铜7.fiat%的样品，从室温升至一650C.。I(T)保持不变。然后随温度的增加快 速下降。至1440C，降低温度测量， I(T)随温度下降呈指数形式下降至室温。 再升高温度至170呱 现类似的变化。降低温度至室沮. J(I)以更大的指数因子呈指数形式下降。 然后升高温度至217 与144oC一室温和室温~1700C不同， 高温度至260C,In。(T)曲线表现类似特征。表1给出不同温度循环测量过程后薄膜的室温电导 和Ino-1000/T曲线低温端直线段对应的电导激活能。可见，测量温度增加导致的退火效应，使 著告压廿由勿i片二了 7之司.得