宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究.pdfVIP

宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究， 万寿科，孙学浩，张金福，王占国 (中国科学院半导体研究所材料科学实脸室。北京 100093) 摘 共:我们近期建立了一套迁用于宽禁带半导体 材料和纳米材料进行低滋PL侧试的系统.该系此片 2 低温、变温PL测试系统 MOCVD法生长，以适当配比双接Si.劝杂质的6H -GaN单晶薄膜进行91f.在300K时，A峰为带 本研究建成一套低沮、变沮PL侧试系统.其中 边峰，波长为367.1nm(3.375eV火B峰为Si.Zn 单色仪为法国的H25.波长范围 180-1000nm;探 发光峰，波长为429.8nm(2.883cV).B峰强度是A 侧器为GAM阴极的C31034型光电倍增管;傲发光 峰的14倍左右，该材料可作为制造蓝光LED的优 沮为日本Kimmo”公司的He-Cd橄光二 彼长为 良材质.对修N的6H-SiC单晶体在20kV高压下 325nm (3.8leV),功率为35mW.样品室采用美国 离于注入B(砚)，其浓度为IOwmca，进而在17000 APD公司的二级抓循环制冷铃.沮度范口42-300K 趁高滋下进行热处理获