关于拟推荐2018年国家科技进步奖候选项目的公示-光迅科技.PDFVIP

关于拟推荐2018年度国家科技进步奖候选项目的公示 根据 《关于组织推荐2018年度国家科学技术奖的通知》文件要求， 公司遴 选，现将 “宽带接入用光电子核心芯片研发及产业化”拟推荐2018年度国家科学 技术奖项目予以公示，公示期为2017年12月26 日至2018年1月3 日，为期7天。 若有任何异议，请与科技发展部联系。 联系人：李欣国 联系电话：027 邮 箱：xinguo.li@ 附件：拟推荐2018年度国家科技进步奖候选项目情况 武汉光迅科技股份有限公司 二○一七年十二月二十五日 1 2018年国家科技奖推荐公示内容 项目名称：宽带接入用光电子核心芯片研发及产业化 提名者：湖北省科技学技术 提名意见： 该项目围绕光纤接入发射用DFB激光器和接收用APD芯片的大批量国产化，攻克了 10Gb/sDFB激光器与APD芯片的关键技术难题，在以下核心技术上取得了创新性成果，包括：1） DFB激光器和APD芯片的器件结构设计和制备工艺；2）2英寸外延片高均匀相移光栅制备技术； 3）用于提升芯片良率和可靠性控制的镀膜技术。目前已实现了芯片高可靠性，低成本批量生产， 年产量达1亿余只。经信息产业光通信产品质量监督检验中心、工业 （光通信）产品质量控制和 技术实验室检测，10Gb/s DBF激光器和和10Gb/s APD芯片的主要产品性能指标与国际领先厂家 的同类型产品相当。 相关技术获得授权发明专利12件，实用新型专利4件，制定行业标准4 项，发表学术论文 13篇，具有自主知识产权。 项目产品打破了国外企业的市场垄断，国内市场份额40%以上，芯片年产量全国第一，全球 前三，相关模块产品累积销售达到39亿元，新增利润6亿元，解决了1000余人的社会就业，拉 动了上下游近百亿元的市场容量。 该项目技术达到国际同类产品的先进水平，具有自主知识产权，打破了国外的技术垄断， 促进了我国宽带建设的快速发展，取得了良好的经济效益与社会效益，提名该项目为国家科学技 术进步奖二等奖。 一、项目简介 2013年，国务院发布了 “宽带中国”的战略实施方案，2015年李克强总理在政府工作报告 2 中也将互联网+战略纳入国民经济的重点计划中。两项重大战略的提出，给我国宽带接入产业工 作者提出了一次历史性的挑战及重大机遇。宽带接入网中进行数据传输的主要是以光电收发芯片 为核心的光电收发模块，如何提高芯片性能及可靠性，降低芯片价格就成为了光电子行业的重要 课题。 项目实施之前，国产宽带接入用核心光电子收发芯片长期存在性能低下，可靠性低，成本高 昂的问题，相关器件及设备厂商长期依赖国外进口芯片，“空芯化”问题日益突出。经过数年技 术攻关，我司对影响核心光电子收发芯片长期可靠性，成本和良率的问题做了针对性研究，突破 了相关关键技术瓶颈，实现了自主知识产权的全系列2.5Gb/s、10Gb/sDFB半导体激光器芯片和 APD、PD探测器芯片的规模量产能力。项目获授权专利12项，发表学术论文13篇，其中SCI 7 篇。该项目成果转化的产品性能指标优异，国内占比超过40%，目前芯片产量已排名全球前三。 项目主要创新点如下：1）创新提出了一种基于全息干涉方法制作激光器核心部件相移光栅 的技术。采用此技术，设备成本不到传统设备的1/10，效率提升50倍以上。工艺简单，普通工 人即可操作，适合大批量生产。2）首次提出了一种新的激光器腔面镀膜技术，解决了长期困扰 激光器可靠性的端面氧化及烧毁问题。使用该技术，端面烧毁阈值从100mA提升至180mA，ESD 阈值提高300V，芯片寿命达到100万小时。3）首次提出了一种雪崩光电二极管免扩散结构及相 应的工艺制作技术。解决了其由于锌扩散边缘的曲率效应引起的提早击穿问题。极大的提高了芯 片工作增益及响应带宽，并实现了10Gb/s芯片批量，低成本生产。4）创新提出了一种新型高速 铟镓砷探测器的制作方法，极大的提高了探测器响应带宽及工作速率。利用该结构可实现平面探 测器10GHz以上带宽，带宽提上高达30%。 综合