GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化.pdfVIP

vol 1468 第27卷，第8期 光谱学与光谱分析 Z7，Nn8。ppl465 20O7年8月 and ALlgLlst，2∞7 SpectroscopySpectral』halysis GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化 邹继军“2，常本康”，杜晓睛1，杨智1 1．南京理工大学电子上程与光电技术学院．扎苏南京zl伽94 2．东华婵工大学电子工程系，江西抚州344。00 摘要利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响 应曲线，测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面 双偶极层的形成，阴极表面有效电子亲和势不断降低，光谱响应贝il小断提高，但长波响应提高得更快。在激 活结束后，位于激活室中受白光照射的G丑As光电阴极由于B的脱附影响了双偶极层结构，胡极表面有效 电子亲和势不断升高，光谱响应则不断下降，但长渡响应下降得更快。上述现象无法用常用的反射式阴极量 子效率公式进行解释，它们与阴极高能光电子的逸出有关。由T反射式阴极发射电子能最分布随着入射光 子能量的升高而向高能端偏移，同时阴极表呵势垒形状的变化对低能电了比对高能电了的影响更大，从而 导致了光谱响应曲线形状的变化。 关键词GaAs光电阴极；光谱响应曲线；电子能量分布；表面势垒；电了逸出概率 文献标识码：A 文章编号：1000—0593(2007)08—1465一04 中图分类号：TN223 引言 l×10”cm、厚度为1．6pm。外延样品在激活前先进行化 学清洗，清洗后迅速将其送至激活系统的加热位置，当超高 通过cS和O在GaAs表面交替吸附而制备的负电子亲 和势GaAs光电阴极具有量子效率高、暗发射小和光谱响应真空系统的本底真空度不低于l×lo。1Pa时进行加热净化。 曲线平坦等优点，匾而在高性能微光像增强器、自旋极化电 阴极采用“高低温两步激活”法，高、低温净化温度分别为 子源等领域得到丁广泛的应用㈠“。这足GaAs光电阴极得600和4lo℃，时问分别为60和20mln，净化过程中真空度 到关注的原因之一。同时由于其所涉及的诸多科学问 不低于1×lo5Pa。加热净化结束，待样品自然冷却到60℃ 题口·“，几十年来一直吸引着人们研究的兴趣，在其制备T 左右开始激活，此时真空度同复到1×10吖Pa以上。激活 V／50 时，用一个12 w的卤钨灯照射阴极面，通过观察阴极 艺、表面模型、激活机理等方面进行了大量的探索”…，但是 对于GaAs光电阴极激活过程中以及激活后光谱响应商线形产生的光电洫来决定cs，()的进或停。激活采用cS源连续， 0源断续的方法来进行。 状的变化及其机理方面的报道却很少。而光谱响应曲线及其 在GaAs光电阴极高温激活过程中，用光谱响应测试仪 形状的变化对于研究物质的结构组成及其性能具有莺要的价 原位测试其光谱响应曲线随激活时间的变化，测试结果如 值”¨“。我们在超高真空激活系统中进行了反射式GaAs光 图l(副所“‘，曲线l足阴极首次进b后的光谱响应曲线