有关漏电问题的汇总.ppt

* * 丝印工艺汇总 电池事业部工艺中心 周公庆 2010.02.12 知识只是知识，知识再多也不是智慧 智慧就是你的心境和态度。 ——周公庆 Rsh的讨论 1,硅材料 2,切片损伤层 3,刻蚀情况 4,绒面扩散层的保护 5,电极烧结温度和时间 与Rsh相关的因素: Rsh即是电池片的漏电情况的反映, 由太阳电池测试原理----模拟电路图(等效电路图)可知, Rsh越大Ish越小, Rsh越小Ish越大. 但是电池片的总漏电包括两部分,其中Ish和Rsh成反比,被称为线性漏电,而ID为pn结漏电,被称为非线性漏电. ID与pn结的制作工艺有关. Rsh的讨论 1,硅材料 单晶硅棒用切片机切割成片时,因机械切割使硅片表面受到损伤的区域可以分为四部分,即表面粗糙区,碎裂区,位错网络区和弹性应变区.对高精度切片机损伤区的总厚度约为10~20 μm,这些表面损伤区若不去除掉,将在高温扩散时产生大量表面复合i中心,增加表面复合几率.减少扩散区域少子寿命,从而降低太阳电池效率.制造太阳电池时,去除表面损伤层,可通过制绒面减薄硅片实现. 2, Rsh与刻蚀的关系 基片周边因扩散形成pn结,若去除不尽,将造成电池短路. 等离子刻蚀: CF4——————C+4F* Si +4F* —————Si iF4* 射频电场 Rsh的讨论 3,Rsh与绒面扩散层是否损坏的关系 电池表面用腐蚀法制成的绒面,对入射光有强的减反射性能.但是扩散后的硅片在各道操作工序中必须精心,稍有不注意就会把表面的金字塔体的尖损坏,将P型基地暴露出来,如果又适逢在损伤处被金属电极覆盖,便会造成短路. 正电极的遮光面积占总受光面积的8~10%. 4,与正电极烧结温度和烧结时间的关系 带速快,加热时间短, Rs会增加,特性恶化. 低温低带速烧结电极, Rs大, Rsh无改善,I-V特性差 5, Rsh与银浆的关系: 银浆系由银粉,玻璃料和有机载体组成的银浆,银粉的纯度≥99.99%,粒度≤1μm,含银量75%，含锑1%，呈鳞片或球状。银粉经高温烧结后，形成三维网状结构,锑扩散到硅片中形成高掺杂n+层,，使银硅有好的欧姆接触. 玻璃料的主要作用是使网状结构的金属银牢固地粘附在硅片上,增加电极牢固度. 有机载体由松油醇,丁基卡必醇醋酸脂等有机溶剂和增稠剂组成.松油醇是粘稠液体,能溶解乙基纤维素,增稠剂的作用是增加浆料的粘稠度和塑性,在一定的温度下能形成膜,300℃以上能完全燃烧挥发掉,且不留灰粉. Rsh的讨论 银浆中的银和玻璃料均匀分布在有机载体中组成的分散体系,属含有悬浮物和弥散物液体的非牛顿液体,其粘度属于反常粘度 N=F/S*dv/dy F/S是作用于液体上的切变力.dv/dy是液体的切应变的变化率,它不仅随温度而变化,而且也随着受到的机械力而变化.厚膜浆料通常是具有触变性的塑流型或假塑型流体.触变性是指流体受到外力作用时.粘度迅速下降,外力消失后,粘度迅速恢复原状的性质. 粘度越高, UOC越高, Rsh越高, ISC越高, RS越低,FF越高,η越高. Rsh的讨论 讨论和结论 浆料中的银粉和玻璃料(由PbO,B 2 O3,SiO 2,SiO 2,CdO,Bi 2 O3等组成)含量高,它们由分子,分子团和原子团构成.当粘度高,印刷膜厚一定时,单位体积中的含银量高,因此,烧结成网状结构时,其结构比粘度低紧密,网状空隙也小.这时,能流动的玻璃料,其粘度虽然也高,但较之于粘度低,形成较疏较大空隙的银网结构.紧密结构的银网将难于提供足够的Bi 2 O3分子进入到硅表面,因而硼原子扩散入硅表面内的浓度低,即不会造成表面扩散层的高度补偿,更不会造成P型沟道加上锑的扩散系数比硼大一个数量级,形成施主作用强,结果带来好的Rsh和RS值,以及好的PN结特性.相反,对粘度低的浆料,因含银量少,烧结后,网格稀,硼原子可以大量进入硅表面,并扩散入表面层中形成高度补偿层,甚至造成P型沟道,作电极后,不仅显示出小的Rsh,还显示出大的RS值.银虽然也是快扩散元素的受主杂质,玻璃料对远红外线能量的吸收率是银的7-8倍,加之在我们的工作温度下Ag-Si界面的温度还低于Ag-Si低共熔合金温度,故Ag未带来危害.