实验三 霍尔效应.docVIP

实验三 霍尔效应 【实验目的】 1．观察霍尔现象。 2．了解应用霍尔元件测量磁场的原理和方法。 3．用电位差计测量霍尔电压及电流，进一步掌握电位差计的使用方法。 【实验原理】 霍尔效应： 1879年霍尔在研究载流导体在磁场中受力的性质时发现，当工作电流（额定控制电流）垂直于外磁场方向通过导电体时，在垂直于电流和磁场的方向的物体两侧产生电位差，称为霍尔电势差。这一效应称为霍尔效应。 图3-1 带电粒子受力图 这个效应对金属来说是不显著的，但对半导体却非常显著。在半导体中利用这种效应可以做成具有广泛应用的霍尔元件，用于磁场测量、功率测量及作为模拟运算的乘法器，应用到非电量测量方面，可作为压力、位移和流量测量的传感器。 霍尔电势差产生原因： 假设有一块宽为a，厚为b，长为l0的N型半导体（载流子为电子），电流I沿y轴方向通过，磁场沿z轴方向，电子电量为q。则样品中以平均漂移速度为v（沿y方向）的载流子（电子）在磁场中受洛仑兹力fm作用，fm的大小为： fm=qvB （3-1） 方向如图3-1（b）所示的-x方向。 载流子（电子）在fm的作用下沿x轴负方向偏转，引起A侧有电子的积累，B侧正电荷的积累，在侧面电荷的积聚将在薄片样品中产生阻止电子继续向x轴方向运动的电场EH，使载流子又受到电场力 fe=qEH （3-2） 的作用。电场力fe的方向和洛仑兹力fm方向恰好相反，它将阻碍电荷向侧面的继续积累，因此载流子在薄片侧面的积聚不会无限止地进行下去。开始阶段，电场力fe小于磁场力fm，电荷将继续向侧面积聚。随着积聚电荷的增加，电场不断增强，直到载流子受力fe = fm时，达到一种平衡状态，载流子不再继续向侧面积聚，此时薄片中的横向（A、B两侧面之间）电场强度为 则横向电场在A、B两表面间产生的电势差—霍尔电势差UH与EH的关系为 式中a为样品宽度。则 UH=EHa=vBa （3-3） 因为I=jab，j=qnv，所以 （3-4） 式中n为载流子浓度，j为电流密度，则 （3-5） 所以霍尔电势差 （3-6） 令为霍尔系数，其单位为m3/C。RH是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，则 所以霍尔系数等于 （3-7） 由式（3-6）、（3-7）可得如下结论： ⑴ 载流子若为电子，霍尔系数为负，则UH＜0；反之，若载流子为空穴，霍尔系数为正， 则UH＞0。若实验中能测得样品电流强度I，磁感应强度B，霍尔电压UH，样品厚度b（实验室给出），就可求出霍尔系数RH值。根据RH的正负，可以判定半导体样品导电的类型（N或P型）。 ⑵ 霍尔电势差UH与载流子浓度n成反比，薄片材料的载流子浓度n越大（霍尔系数UH越小），霍尔电势差UH就越小。一般金属中的载流子是自由电子，其浓度很大（约1022/cm3），所以金属材料的霍尔系数很小，霍尔效应不显著。但半导体材料的载流子浓度要比金属小得多，能够产生较大的霍尔电势差，从而使霍尔效应有了实用价值。 ⑶ 根据RH=可得 （3-8） 若已知UH、I、B（由实验中确定），b（由实验室给出），就可根据式（3-8）确定该材料的载流子浓度n。严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子（可参阅黄昆、谢希德编的《半导体物理学》），即 （3-8′） 用这种方法也可研究浓度与温度的变化规律。 ⑷ 对于确定的样品（a、b、q一定），如果通过它的电流“I”维持不变，霍尔电压UH和磁感应强度B成正比。因此可从测得的UH值，求得外磁场的磁感应强度，即用霍尔片制作测量磁场的仪器—特斯拉计的原理。 由（3-8）式可知 （3-9） 令 （3-10） 则 UH=KHIB （3-11） KH称为霍尔灵敏度。KH表示霍尔元件在单位磁感应强度B和流经单位电流I时的霍尔电势差UH的大小。KH大小决定了当I、B一定时，霍尔电势差U