模拟电路第四版第一章课件2(1.2-1.3).ppt

一、二极管的组成及几种常见结构 2、微变等效电路 五、稳压二极管 《模拟电子技术》多媒体课件 电子信息教研室 1. 本征半导体、N型半导体、P型半导体的特点 2. PN结的形成及导电特性 3. PN结的电流方程、伏安特性 复 习 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 1-2 半导体二极管 （简称二极管） P N 点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。 面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。 二极管的几种外形 二、二极管的伏安特性 1、二极管和PN结伏安特性的区别 ① 区别：正向电阻大 反向电流大 ② 硅管与锗管的比较 开启（死区）电压 Uon 导通电压 UD 死区电压 几十 0.1~0.3 0.1 锗Ge ＜0.1 0.5~0.8 0.5 硅Si 反向饱和电流μA 导通电压/V 开启电压/V 材料 2、伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 增大1倍/10℃ 三、二极管的主要参数（P20） 1、最大整流电流IF：指平均值。要求ID(AV)≤IF 2、最高反向工作电压UR：指最大值。要求URmax≤UR 3、反向电流IR:要求IR 4、最高工作频率fM：二极管工作的上限频率，超过此 值，由于结电容的存在，二极管将不能很好地体现单 向导电性。 好（注意：IR对温度十分敏感） 理想 二极管 近似分析中最常用 理想开关 导通时 UD＝0截止时IS＝0 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 导通时△i与△u成线性关系 应根据不同情况选择不同的等效电路！ 1、将伏安特性折线化 ？ 100V？5V？1V？ 四、二极管的等效电路 Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 1、 伏安特性 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 2、 主要参数 稳定电压UZ、稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！ 限流电阻 【例1.2.2】如图所示，已知UZ=6V，IZmin＝5mA，IZmax=25mA，RL＝600Ω。求：R的取值范围。 【解】 由图可知， 其中， IL=UZ/RL=(6/600)A=10mA 所以 而 即限流电阻R的取值范围为114～227Ω 所以 1.3 双极型晶体管 （晶体三极管、半导体三极管简称晶体管） 一、晶体管的结构及类型 晶体管的几种常见外形 小功率管 中功率管 大功率管 1.3.1，1.3.2 晶体管结构、类型及电流放大作用 1、晶体管的结构（以NPN管为例）及符号 结构特点： ①发射区掺杂浓度高，几何尺寸小； ②集电区掺杂浓度低，几何尺寸大； ③基区掺杂浓度很低，且很薄。 构成：三层半导体、三个区、三个电极、两个PN结 2、 晶体管的类型 ①按结构分 ①NPN型 ②PNP型 ②按材料分 ①硅管 ②锗管 多为NPN型 多为PNP型 二、晶体管的电流放大作用 1、电流放大作用的含义 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 基本的共射放大电路如图所示 发射结正向偏置 集电结反向偏置 图中VCCVBB 2、晶体管实现电流放大作用的条件 满足内部条件和外部条件 内部条件 外部条件 内部结构特点 N N P 3、晶体管内部载流子的运动 设△uI=0 （1）发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 （3）集电结反偏，将发射过来的电子拉到集电区，形成电流ICN 　（2）进入基 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成基极电流IBN ，多数到达集电结。 集电结反偏，有少子漂移形成的反向电流ICBO。 基区空穴向发射区的扩散电流IEP