晶体结构缺陷(2015).pptVIP

* * * 把每种缺陷看做化学物质来处理，把缺陷生成的过程看作是化学反应过程，因此可以应用化学反应的基本定律如质量作用定律、平衡常数等描述缺陷化学反应。材料中的缺陷及其浓度就可以和一般的化学反应一样，用化学平衡的方法来计算。 * 在晶体中缺陷的产生和复合是一个动态平衡的过程。在一定温度下，热缺陷是处在不断地产生和消失的过程中。当单位时间内产生和复合而消失的数目相等时，系统达到平衡，热缺陷的数目保持不变。因此，可以根据质量作用定律，通过化学平衡方法计算热缺陷的浓度。 设构成完整晶体的总节点数为N，在TK温度时形成n个孤立热缺陷，则用n/N表示热缺陷在总节点中所占分数，即热缺陷浓度。 一般来说，在离子晶体中形成肖特基缺陷所需要的能量比形成弗连克尔缺陷需要的能量小。 在具有NaCl型结构的晶体中以肖特基缺陷为主。 * * * 如何判断形成置换型固溶体中溶质质点的固溶度是连续还是有限？根据热力学参数分析以及根据自由能与组成的关系，可以定量计算。但是由于热力学函数不易正确获得，目前严格的定量计算仍是十分困难。 在置换型固溶体中，离子的大小对形成连续或有限置换型固溶体有直接的影响。 * * * 晶体结构因素是与离子尺寸的大小和离子价相联系的，可以认为是：由于离子半径和离子价的不同而引起了结构的差别。 ◆溶质和溶剂之间的化学亲和力对固溶体的溶解度有显著的影响，如果两者之间的化学亲和力很强，则倾向于生成化合物而不利于形成固溶体；生成的化合物越稳定，则固溶体的溶解度就越小。 ◆ 通常以电负性因素来衡量化学亲和力 * * * Note that even if we were able to build a perfect crystal, unless we could keep it at absouble zero (T=0K), defects would appear. * ?实际晶体在其生长过程中，不可避免地会受到外界环境中各种复杂因素的不同程度的影响，往往有的原子或离子并不按理想点阵排列，偏离了自己本来应该占据的位置； ?晶体形成后，只要温度高于0K，晶体中的质点都要进行热振动，有些质点也会脱离其平衡位置，使实际晶体的某些区域偏离了理想点阵，质点排列不规则、不完整。 例如，本来应该有质点占据的结点位置空着，没被占据；而本来不应该有质点的空隙却被占据了。 ?物质中常常有杂质存在，绝对纯的物质是没有的。杂质原子进入晶格后，会使原来晶体中质点的周期性重复排列被破坏，也偏离了理想点阵。 * 通常材料缺陷对材料的很多物理化学过程以及性质起重要作用，在这些过程中扮演主要角色，而晶体的规则性只退居为舞台的背景。 * 实际晶体中与理想的点阵结构中发生偏差的区域，这些区域的存在并不影响晶体结构的基本特性，仅是晶体中少数原子的排列特征发生了改变。 严格说来，实际晶体（不论是天然的还是人工培育的）中总是或多或少地存在着各式各样的缺陷，有的甚至很严重。但缺陷的存在不应该改变晶体的基本结构。 * The carbon atoms, which typically might constitute only 0.4 weight percent of steel (i.e., approximately 1 carbon atom for every 50 Fe atoms) can have the effect of increasing the strength of iron from about 15MPa to more than 1500Mpa! Si is a covalently bonded crystal. There are no free electrons to carry current and Si is essentially an insulator. However, when a minute amount of P is added to Si the situation changes dramatically. The P, which has a valence of 5,substitutes for Si atoms in the crystalline lattice. However, Si has a valence of 4. Thus there is one extra unbonded electron for every P atom that is added. This extra “free”electron then provides for electron conduction. When Si is “doped”in this way, an n