一种基于新型偏置电路的CMOS第二代电流传送器.pdfVIP

维普资讯 2001年 l0月 吉 林 太 学 自 然 科 学 学 报 第 4期 No 4 ACTA SCIENTIARUM NATURAL1UM UNIVERSn ATIS {IL1NENS1S g001-1O 一 种基于新型偏置电路的CMOS 第二代电流传送器 石文孝，王长青 (吉林大学通讯工程与技术学院．长春 130012) 提要：讨论第二代 电流模武传送器(CCⅡ)电压缓冲器的解决方案，通过理论方法及计算机仿 真对缓冲缎的增益和阻抗进行比较分析，提出一种基于加偏压设计的新型CCⅡ．仿真结果 表明．改进方案的THD 比未改进方案的THD改善 10dB以上． 关键词 ：第二代 电流模式传送器 ；模拟电路f电流模式 中图分类号；TN713．8 文献标识码：A 文章编号：0529—0279(2001)04—0057—04 第二代电流模式传送器 (CCⅡ)是通用的电流模式积木块，自1970年被提出_1一以来 ，其在线性和 非线性模拟 电路设计中的通用性与灵活性已得到证明．本文着重讨论CCⅡ电压缓冲器的实现方案． 根据文献[2]，提出改进的缓冲器方案． 1 缓冲器基本配置 基于通用差分放大器的CCⅡ的简单实现方案如图 1所示．y到 x之间的电压增益 A 和 端输 入阻抗 H分别为 A 一 ■ — — t h gM ’ (1·l】 I-M s -， 2gD．． + g 式中g”和g。是第i个晶体管的栅源跨导和栅漏跨导，假设晶体管M． 和M 是理想匹配．显然 “大约是 1／g X和 之问的失i,~lrglK, — rc n+√瓮一、／鲁，t．z 式中V ，p．， 分别代表第 i个晶体管的阈值电压、增益常数、漏极 电流． 图l电路可在低 电压下运行 ．但存在两个缺点．即高的电压增益 图 1 cclI的简单实现方案 误差 (由低的环路增益引起的)和相对高的输入阻抗r 值． 2 改进的配置 为了改进图 1方案的缺点．人们提出了多种CCI改进方案．下面以CCⅡ 为例进行分析． 2．1 单增益级拓扑结构 第一种对基本结构的改进考虑到减小r 值，这样能同时改善电压和电流增益．为了做源极跟随 收稿 日期 gOOl一09—03． 作者简介：石文孝(196o~)．男．硕士，副教授． 基金项 目：信息产业部科技发展计划项 目(批准号；95Ol21o1) 一 57 维普资讯 级，在闭环配置中把M 加到共源剥中．如图2所示(a)．其A 和r 分别为 A 一 — — ． r (2．1)