多晶硅太阳电池的等离子体预处理研究.pdfVIP

第29卷 第 11期 太 阳 能 学 报 Vo1．29．No．11 2008年 11月 ACIAIENERGIAES0LARISSINICA Nov．，2008 文章编号：o2s4-oo~(2oo8)11．1348．05 多晶硅太 阳电池的等离子体预处理研究 黄岳文，季凯春，李华维，孙励斌，徐晓群，陈 斌 (宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司，宁波 315177) 摘 要：采用 H2、NH3和H2+NH3等离子体在沉积氮化硅薄膜之前对多晶硅片进行预处理，采用等离子增强化学 气相沉积 (PECVD)制备氮化硅薄膜，然后印刷烧结。利用准稳态光电导衰减法 (QSSPCD)、傅里叶红外光谱仪(FT— IR)和紫外可见近红外分光光度计 (UV—vIs)等手段研究了等离子体预处理对多晶硅少子寿命的影响以及等离子体 预处理对氮化硅薄膜FHR光谱的影响和多晶电池性能的影响。结果表明：经等离子体预处理后多晶硅的少子寿 命有所提高，使用 +NH3混合等离子体预处理后，制备的多晶电池的性能有明显提高，短路 电流能提高约 7％。 关键词：多晶硅电池；等离子体预处理；氮化硅薄膜 中图分类号：TKS1 文献标识码：A 带，从而减少界面态、降低势垒、减少界面复合，达到 O 5I 吾 提高开路电压和短路电流的效果_4j。适量的氢对 多晶硅电池已在晶体硅太阳电池中异军突起， 表面起钝化作用，但过高的氢含量对薄膜的结构、密 尤其是在欧洲太阳能光伏行业 中，多晶硅电池所 占 度、折射率、应力及腐蚀速率等均有不利影响 J。 比例越来越大。多晶硅的优点是能直接制备出适于 在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅 规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造 材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入 过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低 J。 或等离子体处理。在多晶硅太 阳电池表面采用 但多晶硅太阳电池的转化效率略低于直拉单晶硅太 PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解 阳电池。其原因除了多晶硅材料中存在各种缺陷 时产生氢离子，使得氮化硅薄膜中含有大量氢，结合 (如晶界、位错、微缺陷)外，还和材料中的杂质碳和 后续快速热退火工艺即可实现对多晶硅 的氢钝 氧以及工艺过程中玷污的过渡族金属有关。它们能 化_7]。本文在沉积氮化硅薄膜之前对多晶硅片进 引入深能级，分布在禁带之中，一方面作为晶面态耗 行等离子体预处理，进行氢钝化，提高了多晶太阳电 尽 了晶界附近的载流子，形成了具有一定宽度 的耗 池的性能，尤其是短路电流增幅较大。 尽层和势垒；另一方面又可以作为复合中心俘获电 1 实 验 子和空穴。晶界势垒阻碍载流子的传输，增大了串 联电阻，对填充因子不利；晶界的复合损失又降低了 实验采用 5英寸 (125mm×125ram)P型多晶硅 收集几率，对开路电压和短路电流不利。因此对其 片，厚度为(270±30)pan，少子寿命在 1～2s之间， 进行表面钝化和体钝化是进一步提高多晶硅电池的 减薄厚度控制在 30tma，不制作绒面，扩散方块 电阻 转化效率的重要手段之一，而氢化非晶氮化硅 (a． 控制在 30～4JDQ·cm。 SiN ：H)薄膜的制备能够实现多晶硅的体钝化和表 在沉积氮化硅薄膜之前，先采用 H2、NH3和H2 面钝化 ，引。 +N 等离子体预处理，采用少子寿命测试仪 (wT． 氢钝化硅缺陷的主要原理是：氢能与硅中杂质 1000)比较了预处理前后少子寿命的变化情况。在 或缺陷发生反应，将禁带中的能带转入导带或者价 工艺优化过程中，对等离子体预处理的温度、功率、 收稿 日期：2007～06—06 通讯作者：黄岳文(198O一)，男，硕士、工程师，主要从事太阳电池的研究工作。hu