脉冲功率技术中高速隔离型MOSFET驱动电路的研讨.pdfVIP

2009年全国电工理论与新技术学术年会论文集 脉冲功率技术中高速隔离型MOSFET驱动电路的研究 齐琛，陈希有 大连理工大学电气工程与应用电子技术系，辽宁大连l16024 摘要：随着半导体技术的发展，功率MOSFET因其体积小、重量轻、成本低和响应速度快而被越来越广泛 地应用于脉冲功率源中。本文根据MOSFET的开关过程，分别从器件本身和驱动电路的两个方面，讨论了 路和参数。实验验证了本文所提出的三种驱动电路的有效性和实用性。实验结果表明，MOSFET的开通时间 均小于lOns。 关键宇：脉冲功率，功率MOSFET，隔离，高速，纳秒。 Researchon Electrical·-IsolatedMOSFETDriverCircuit High--Speed inPulsedPower Technology Chen，Chen Oi Xiyou ElectricalandElectronics of Dalianl16024 Department，DalianUniversityTechnology,Liaoning Abstraet：Withthe ofsemiconductor aremoreandmore usedin development technology,MOSFETswidely sourceduetotheir in Cost，and pulsedpower superiorpropertiescompactness，lightweight，low quickresponse． theturll—onandturn．off ofMOSFETinthis viewofMOSFETitselfanddrivercircuit． Through processes paper,in theinfluenceson arediscussed．At MOSFETturn—ontime 1ast．three electrical．isolatedMOSFET high—speed drivercircuitsare electriccircuit aswellasthe calculations．All designed，includingtopology parameter designs were tobe andeffective resultsshowthat proved practical throughexperiments．Theexperimental power than1 MOSFETturn-ontimeiSless 0ns． words：Pulsed Key power,powerMOSFET,electrical-isolated，highspeed，nanosecond． 于其体积小、重量轻、成本低和响应速度快等优势 脉冲功率技术广泛用于激光等离子体诊断、核 越来越多地引起人们的关注。但是，目前的半导体 爆模拟、电磁脉冲研究、强脉冲中子源、废气处理 制造技术还不能制造出同时满足脉冲耐压条件和 和液