大尺寸单晶硅生长过程的数值模拟研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：093318 大尺寸单晶硅生长过程的数值模拟 1 1，2,* 1 3 刘鑫 ，刘立军 ，王元 ，柿本浩一 1 2 （西安交通大学能源与动力工程学院，西安，710049； 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州，310027； 3 日本九州大学应用力学研究所，福冈，日本） * （029ljliu@mail.xjtu.edu.cn） 摘要：利用块结构化网格对一典型工业用单晶硅结晶炉系统进行离散，对单晶炉内部硅熔体对流、所 有部件的传导换热和炉腔内的辐射换热进行整体耦合求解。针对大尺寸坩埚内的硅熔体湍流模拟，引 入了基于大涡数值模拟的Smagorinsky 亚格子涡粘模型。数值分析了单晶硅生长过程中不同阶段的传热 和流动特性，以及湍流输运对凝固相变界面形状的影响。 关键词：全局模拟；亚格子模型；单晶硅提拉法；湍流输运；熔体对流 0 前言 Czochralski （CZ）提拉法生长的单晶硅是超大规模集成电路用的主要半导体电子 材料和晶体硅太阳电池用的主要光伏材料。随着现代超大规模集成电路和太阳能光伏产 业的发展，要求提拉法制备的单晶硅不仅直径越来越大，而且晶体质量要求越来越高。 然而，随着结晶炉尺寸的增大，结晶炉内部将产生更为复杂的交互效应，例如，更高强 度的熔体对流（熔体流动的三维振荡湍流特征），生长系统更强的热惯性，这些因素的共 同作用给传统的工艺控制技术的实施带来了巨大困难[1]。 为了提高晶体硅的质量和控制工艺, 必须了解结晶炉内部整体传热和熔体流动的 特性。但是，对工业结晶炉进行实验研究，不仅费用高昂，而且测试非常困难。为此, 许多学者进行了大量的数值模拟研究[2-8,11,12]。考虑到CZ-Si 单晶炉系统结构的复杂性， 以及结晶炉内的传热是辐射换热、固体热传导和熔体热对流多种传热方式相互耦合的结 果，为了了解炉的整体特性,必须采用全局模型,即将结晶炉内的所有传热方式和所有组 件作为一个整体进行求解[4]。 多年来，准稳态全局建模一直被广泛应用于求解结晶炉内热辐射\凝固相变界面\热 对流的耦合问题。为了接近于工程实际，熔体的湍流输运必须作为模拟的关键因素引入 全局模型。为此，许多学者尝试采用不同的 Reynolds 平均(Reynolds Averaged Navier-Stokes，RANS)湍流模型模拟坩埚内的高温熔体对流，包括混合长度模型[1]、低 [5] [6] Reynolds 数k −ε模型 、标准k −ε模型 等。近年来，大涡数值模拟方法（Large Eddy Simulation，LES）在复杂湍流模拟中得到了许多研究者的青睐，各种亚格子涡粘模型也 逐渐被应用于晶体生长模拟的局部模型中[7]。 基金项目：国家自然科学基金项目，陕西省自然科学基础研究计划项目(SJ08E201)，教育部 新世纪优秀人才支持计划（NCET-08-0443 ）。 本文在保证合理的计算时间的前提下，采用基于LES 的Smagorinsky 亚格子涡粘模 型对硅熔体湍流进行模拟，将硅熔体对流引入全局数值模拟。对一个典型工业用单晶硅 提拉法结晶炉系统进行了全局数值模拟，针对等径拉晶过程中的不同阶段，研究了晶体 生长过程的传热特性和凝固界面形状的演变。 1 计算模型 1.1 全局分析模型 在对CZ-Si晶体生长过程的全局模拟中，假设晶体生长过程是准稳态的，且各组件 为轴对称结构，并忽略炉腔内保护氛围气流的影响。 结晶炉内所有组件分块生成二维结构化网格。根据各组件之间不同的传热方式以及 全局耦合算法的实施，所有计算模块分为三种类型：辐射模块，熔体－晶体模块和固体 导热模块。辐射计算模块将所有固体和液体之间的热量交换耦合在一起，熔体－晶体