射频磁控溅射法制备Zr08Sn02TiO4薄膜及其介电性能研讨.pdfVIP

』殳一————一一丝 丝 塑 盐 !塑!簦塑型!!!!鲞 程文秀，丁爱丽，仇萍荪，何夕云，郑鑫森 (中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室．上海200050) 摘要：采用射频(RF)磁控溅射的方法，以Pt／Ti／ si02／si(100)为衬底材料，制备了高度(111)择优取向 究了薄膜的化学组成和晶化以及非晶薄膜介电性能。 Osamu 生长的(zr08，sno2)TiOt(ZST)薄膜。运用x射线衍 射(xRD)和原子力扫描显微镜(AFM)对ZST薄膜的 微结构和表面形貌进行了研究。分析了薄膜(111)取析仪研究了晶化和非晶薄膜的微波介电性能，发现晶 向生长的机理。采用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜 化能显著的改善材料的介电性能。但在Pt衬底上高 的表面成份进行了分析。研完了zsT薄膜低频下的 介电性能，在100kHz下薄膜的介电常数和介电损耗还很少文献报道。我们采用射频磁控溅射的方法，以 分别为36．6和0．0069，薄膜的电容温度系数(TCC) 在IMHz下为8．02×10～／C。 艺参数对薄膜的介电性能的影响。 关键词： (Zr0．s，Snoz)TiOt(ZST)薄膜；磁控溅射； 2实验 介电性能 中图分类号：TM223 文献标识码：A 2．1样品制备 文章编号：i001—9731(2006)增刊一0352—03 采用普通的陶瓷工艺，以分析纯的ZrO。、TiO：、 l 引 言 5％(质量分数)的LazO；作为烧结剂制备溅射用陶瓷 随着科学技术的日新月异的发展，通讯信息量的 靶材。靶材的烧结温度为1380。C。采用德国产的 迅猛增加，使得卫星通讯、移动通讯和卫星直播电视等 Leybord550溅射仪制备ZST薄膜，薄膜的制备采用 微波通讯系统已经成为当前通讯技术发展的必然趋 如下的工艺条件： 势，在我国移动通讯用户已经突破1个亿；采用微波通 largH 『zsTc盯aml怕3inchdiametef 讯技术的全球定位系统(GPS)在军事上和民用上都有 P(Torr) 6x一6lO 其广泛的应用。微波通讯技术的发展，使得人们对微 Ba鸵p慨sure Distance aadsubstHte(mm)iso 波通讯器材的小型化、集成化、高可靠性和低成本化提 betme口‘arget 出了更高的要求。这些要求推动了微波介质材料的研 cime(h) 7。31“3 究的进一步深入。 “1+。：“、。。。A。r。ii。。：。10。i)。p。re。s。s，u”9‘1。‘。10epositbn Subs【ratecemDeralu” 1 250～550C ZrTiq系微波介电陶瓷由于其在微波频段具有 RFinputp。w“(w) Io。 较高的介电常数和高的品质因数，人们利用其制备了 介电谐振器、滤波器等微波器件口]。引人SnO。到zr— 2．2性能剥试 TiO；中，能够阻止错、钛离子的无序一有序转变，从而 使材