[物理]高温超导薄膜的沉积--薄膜物理.pptVIP

LPD MOCVD 基片平行靶端面离轴面内旋转 平行面内离轴旋转的薄膜厚度分布理论及实验结果 双面薄膜需要双靶 基片离轴旋转对均匀性有改善 此运动模式需要较长靶基距才能获得均匀的薄膜 基片倾斜面内旋转 不同倾角下面内旋转沉积的薄膜厚度分布 * a) 倾角为p/6；b)倾角为p/4；c) 倾角为p/3 b c a 此模式下双面薄膜需要双靶 在45o左右，薄膜均匀性良好 不同倾斜角下，薄膜厚度变化趋势不同 基片双轴旋转 相同靶基距下，薄膜厚度均匀性更高 采用单靶即可获得双面薄膜 双轴旋转模式下双面薄膜厚度分布模拟 实测厚度分布 双轴旋转轴沉积的3?双面YBCO薄膜的厚度分布 由于夹具和加热器的遮挡，使得薄膜厚度与模拟结果相差较远，减薄夹具后，厚度偏差可降低到±10％ 夹具减薄后双轴旋转下沉积的薄膜的厚度分布 基片调速双轴旋转 调制方法示意图 按照薄膜厚度变化趋势将基片面外旋转分为两个区域，使基片在不同区域具有不同的转动速度，达到调节薄膜厚度的目的 不同区域内的薄膜厚度变化 I II 转速调制对厚度分布的改善 计算结果 验证实验结果厚度偏差5％ 2. 生长研究 1）工艺条件 沉积温度（Td）对性能的影响 YBCO薄膜TC随Td的变化 Td (?C) TC0 (K) ?TC (K) 薄膜表观 700 77K - 墨黑 730 ~80 ~5 黑 760 84 ~3 黑 790 87 ~2.5 亮黑 820 88.5 1 浅灰 850 88.4 1.5 灰 740?C，薄膜以a轴生长为主 沉积温度对结构的影响 770?C，c轴生长，但氧含量低 800?C，c轴生长，氧含量高 830?C，薄膜开始分解 沉积温度对形貌的影响 a. 720?C b. 760?C c. 800?C d. 820?C 温度过低，粒子体扩散能力低，为球状堆积 温度过高，针状晶粒增加 合适的温度下，才能生长出致密的薄膜 生长气压对性能的影响 薄膜TC随Pt的变化 不同氧氩比下所得薄膜性能 PO2:PAr TC0 (K) ?TC (K) 1:5 86.3 2 1:4 87 ~2 1:3 87.5 1.5 1:2 88.5 1 1:1 88 1.3 2） 生长机理 薄膜形貌随时间的演化 a.30min b.1h c.3h d.6h 薄膜以岛状生长为主，经过成核、核长大、相互融合形成薄膜 螺旋生长方式 沉积时间为6h时的螺旋生长岛 生长台阶高度分析 YBCO薄膜以单位元胞高度进行螺旋台阶生长，岛顶部核底部都容易成为新生长点 薄膜成核的变化 a. 760?C b.780?C c. 800?C d. 820?C 生长初期较高的生长温度有利于化学反应和晶化的进行，有利于形成高的成核密度——应适当提高初期生长温度 性能 样品两面的JC和RS值 编号 尺寸 JC1 JC2 RS1 RS2 MA/cm2(77K, 0T) m?(77K, 10GHz) 0911 f50.8mm - - 0.31 0.27 1005 f50.8mm 2.7 2.9 0.48 0.5 0411 f76.2mm - - 0.8 0.9 1123* f76.2mm 2.4 2.0 0.23-0.35 0.26-0.37 0522 f76.2mm 2.8 3.02 - 0416 f76.2mm 2.5 2.8 - - 0525 f76.2mm 2.5 2.6 - - *样品1123的Rs值是从145GHz下的测量值 换算到标准的10GHz下的参考值 1）成份 4. 面内均匀性 Cu含量偏差~15% Cu含量偏差 5% 2）结构 3? 薄膜中心与边缘的XRD扫描谱 插图为(005)峰摇摆曲线 *a）样品中心，b）样品边缘 c-轴长为1.169nm和1.168nm，FWHM(005) 只有 0.15? 和 0.21? 3） 薄膜性能 临界转变温度TC 样品的TC测试位置 3英寸YBCO薄膜TC测试结果 2 临界电流密度JC 基片匀速双轴旋转时薄膜JC分布 薄膜JC分布与厚度分布的关系 匀速双轴旋转 2 基片调速双轴旋转时薄膜JC分布 调速双轴旋转时薄膜的厚度分布 调速双轴旋转的结果 Side B Side A 2英寸薄膜RS分布 77K、8.5GHz下，RS平均值为0.3mW； 功率承载水平为4～5mT 微波表面电阻RS 75K、145GHz测试 75K、145GHz测试 0.24—0.37mW/10GHz 77K、8.5GHz下，RS平均值为0.6mW； 功率承载水平为5mT 3英寸薄膜RS分布测试结果 Co-Evaporation －－THEVA GmbH Theva M-type S-type E-type Extremely smooth, no segregat