双闭环直流脉宽调速设计与实践.doc

双闭环直流脉宽调速设计于实践 自动化（3）班 林应锋 39 概述 直流系统调速是由功率晶闸管、移相控制电路、转速电流双闭环调速电路、积分电路、电流反馈电路、以及缺相和过流保护电路，通常指人为地或自动地改变直流电动机的转速，以满足工作机械的要求。机械特性上通过改变电动机的参数或外加工电压等方法来改变电动机的机械特性，从而改变电动机机械特性和工作特性机械特性的交点，使电动机的稳定运转速度发生变化。 PWM控制技术是一中广泛应用于控制领域的技术，其原理是利用冲量相等而形状相通的窄脉冲加在具有惯性的环节时候，效果基本相通。在电力拖动系统中，调节电枢电压的直流调速是应用最广泛的一种调速方法，除了利用晶闸管整流器获得可调直流电压外，还可利用其它电力电子元件的可控性能，采用脉宽调制技术，直接将恒定的直流电压调制成极性可变，大小可调的直流电压，用以实现直流电动机电枢两端电压的平滑调节，构成直流脉宽调速系统，随着电力电子器件的迅速发展，采用门极可关断晶体管GTO、全控电力晶体管GTR、P-MOSFET、绝缘栅晶体管IGBT）等一些大功率全控型器件组成的晶体管脉冲调宽型开关放大器（Pulse Width Modulated）,已逐步发展成熟，用途越来越广。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。一个晶闸管直流调速系统是由转速的给定、检测、反馈、平波电抗器、可控整流器、放大器、直流电动机等环节组成。这些环节都是根据用户要求首先被选择而确定下来的，从而构成了系统的固有部分。仅有这些固有部分所组成的系统是难以满足生产机械的全面要求的，特别是对系统动态性能的要求，有时甚至是不稳定的，为了设计一个静态，动态都适用的调速系统，尤其是达到动态性能的要求，还必须对系统进行校正。也就是在上述固有部分所组成的调速系统中另外加一个校正环节，使系统的动态性能也能达到指标的要求。它的内部包括误差放大器,限流保护环节,比较器,振荡器,触发器,输出逻辑控制电路和输出三极管等环节是一个典型的性能优良的开关电源控制器,输出级是由ＩＧＢＴ构成的功率控制器，进而驱动它励直流电动机，达到控制的目的。由于电路有开关频率高的特点，PWM变换器。脉宽调制变换器是采用脉冲宽度调制的一种直流斩波器。PWM变换器有不可逆和可逆两类.可逆变换器又有双极式、单极式和受限单极式等几种电路。 不可逆PWM变换器 不可逆PWM变换器的主电路原理图，采用了全控式的电力晶体管，以代替必须进行强迫关断的晶闸管，开关频率可达1~4kHz，比晶闸管差不多提高了一个数量级。 电源电压Us一般由不可控整流电源提供，采用大电容C滤波，二极管VD在晶体管VT关断时为电枢回路提供释放电感储能的续流回路 、可逆PWM变换器. (1)双极式可逆PWM变换器 4个电力晶体管的基极驱电压为两组。 VT1和VT4同时导通和关断，驱动电压Ub1=Ub4； VT2和VT3同时动作，驱动电压Ub2=Ub3= -Ub1。 双极式PWM变换器的优点 （1）电流一定连续； （2）可使电动机在四象限中运行； （3）电机停止时有微振电流，能消除静摩擦死区； （4）低速时，每个晶体管的驱动脉冲仍较宽，有利于保证晶体管可靠导通； （5）低速平稳性好，调速范围可达20000左右。 双极式PWM变换器的缺点 在工作过程中，4个电力晶体管都处于开关状态; 开关损耗大，而且容易发生上、下两管直通（即同时导通）的事故，降低了装置的可靠性。 为了防止上、下两管直通，在一管关断和另一管导通的驱动脉冲之间，应设置逻辑延时。 为了克服双极式变换器的缺点，对于静、动态性能要求较低的系统，可采用单极式PWM变换器。其电路图仍和双极式的一样，在单极式变换器中，左边两个管子的驱动脉冲Ub1=-Ub2，具有和双极式一样的正负交替的脉冲波形，使VT1和VT2 交替导通。右边两管VT3 和VT4 的驱动信号就不同了，改成因电机的转向而施加不同的直流控制信号。电机正转时，使Ub3恒为负，Ub4恒为正，则VT3截止而VT4常通。 电机反转时，则Ub3恒为正,而Ub4恒为负，使VT3常通而VT4截止。这种驱动信号的变化显然会使不同阶段各晶体管的开关情况和电流流通的回路与双