電源干擾源的追溯及抑制方法.ppt

DIFFERENCE OF POWER PIN DESIGN EXAMPLE 1 DIFFERENCE OF POWER PIN DESIGN EXAMPLE 1 DIFFERENCE OF POWER PIN DESIGN EXAMPLE 1 DIFFERENCE OF POWER PIN DESIGN EXAMPLE 2 DIFFERENCE OF POWER PIN DESIGN EXAMPLE 2 DIFFERENCE OF POWER PIN DESIGN EXAMPLE 2 DIFFERENCE OF POWER PIN DESIGN EXAMPLE 1 Compal Confidential FA LAB Compal Confidential FA LAB 主導: Hasin.Eric 成員: Chen.DM Chen.Marion Zheng.Sping ？------------- ？------------- ？------------- 目的； 根據RMA收集數據分析得知，由于外部與內部的電源干擾導致系統不穩定與元器件損壞，嚴重的導致無法修護而報廢，為提升用戶的滿意度，避免與降低此現象，我們重點學習研究抑制方法。為R/D后續新機種設計提供有效的參考依據。 學習及參考文獻； 一；電子電路實用抗干擾技術 二；EMI / EMC设计 秘籍 （電子工程專輯） ——电子产品设计工程师必备手册 三；地線干擾與抑制 来源：安克谱电磁兼容专业网 整理：中国PCB技术网 注；以上資料是電子工程師必備的知識，我們將與相關部門共同學習探討，使我們的專業技能得到更進一步提升。 資料下載\\CETDATA\UinE\FA Lab\EE\电子线路抗干扰技術 具體計劃 1.针对全廠，收集有关电源方面不良机种的统计数字，然后从每个品牌 中挑出不良率最高的1——3个机种(A)和不良率最低1——3个机种(B) 进行研究。资料的收集要分工进行。 2.分别量测同一品牌中A类和B类M/B的相关电源信号，进行比较；然后 再将A类和B类的相关电源电路及其周围的电路进行比较，找出差异。 3.分别分析同一品牌中A类和B类M/B的相关电路的LAYOUT设计，找出 差异所在。 4.根据第2和第3步所得到的结果，通过模拟试验找出电源信号干扰源的 所在。 5.分析比较全廠所有B类M/B中相关电源部分的电路设计和LAYOUT设计 找出差异所在。 6.根据以上几步所得到的数据结果，我们將通过實際的測試驗證抑制干扰 措施的有效性。 7.积极与R/D沟通交流，将我们的试验数据结论提供给R/D。 目的 2007年10月30日，根據RMA A32 Burn MB FA的報告，報告中說明 : 1.RMA received many A32 burn MB, 2.Fail rate: 1474/77432=1.9% 1474: Only from 2007/06 PE/Repair collect detail data: 2007/06~2007/10 2007/01~2007/05 that from SFIS that A32 burn MB: 510pcs, but not detail. 77432: RMA received MB data from 2005/10~2007/10 3.Impact main model: HAT00/HBL10/HBL20/HAL10/HAL20/IBL30/IAT00/EAL80/HAU20 4.A32 Burnt M/B Model Quantity Distribution (2007.6.12---2007.10.30) 5.顯然，機型HAT00所占的比例最高，而其中PU2和PU25的燒毀率最高。如下圖所示： 6、而後經我部門分析得出結論，PU2和PU25的燒毀均系其供電電源信號受到外部干擾後超過晶片耐壓範圍所致。（特別是EOS） 7，通過以上闡述和更詳細的統計資料，我們發現IC供電電源信號受到干擾的問題廣泛存在。 目的：因此，為了找出IC電源的干擾源，並且盡可能地減弱干擾強度，現我們計畫對干擾的原因和消減干擾的方法做一個深