基于高压碳化硅器件的三相固态变压器拓扑及其在电网-电工技术学报.PDFVIP

2017 年 10 月 电 工 技 术 学 报 Vol.32 Sup.2 第 32 卷增刊2 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Oct. 2017 DOI: 10.19595/ki.1000-6753.tces.L70443 基于高压碳化硅器件的三相固态变压器 拓扑及其在电网电压不平衡下的控制 于程皓 王玉斌 李厚芝 （山东大学电气工程学院 济南 250061 ） 摘要 作为智能电网应用中的关键设备，固态变压器（SST ）在未来电力系统中占有重要地 位。为解决三相模块级联型固态变压器拓扑复杂、控制困难、需要解决模块间均压均功率等问题， 采用简单的基于高压碳化硅（SiC ）器件的三相固态变压器拓扑，其中整流级采用简单的三相电压 型PWM 整流器的常规拓扑，因而具有很强的现实意义。建立三相 SiC-SST 拓扑的数学模型，并 对电网电压平衡下的控制策略进行分析，同时在电网电压不平衡时，采用抑制SST 交流输入侧负 序电流的控制策略。通过 PSIM 仿真证明了两种控制策略的可行性与正确性。最后基于 SiC 器件 搭建了实验平台，对 SST 的前端整流级进行了实验验证。 关键词：三相固态变压器 拓扑 高压碳化硅器件 控制策略 中图分类号：TM46 The Three-Phase Solid State Transformer Topology Based on High-Voltage SiC Device and Control Strategy Under Unbalanced Grid Voltages Yu Chenghao Wang Yubin Li Houzhi （College of Electrical Engineering Shandong University Jinan 250061 China ） Abstract Solid state transformer (SST), as one of the most important equipment for smart grid application, will play a more important role in the future power system. In order to solve some issues existed in the three-phase cascaded modular SST, such as the complexity of the topology, difficulty in controlling, voltage and power unbalance of each H-bridge module ，a simple three-phase SST topology based on high-voltage silicon carbide (SiC) power semiconductor device is adopted in this paper. The simple topology revitalizes the traditional topology and has a great practical prospect. Its mathematica