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* 16-1 晶体的特征和描述 一、晶体的特征 1、晶体的结构 外观上:具有规则的几何形状; 微观上:晶格点阵(晶格) 理想晶体中的粒子(原子、分子、离子或它们的集团)有规律地在空间周期性排列——长程有序。 基本特征: 非晶体则不存在此性质,但在几个原子范围内可以有序排列——短程有序 2、性质(宏观) 均匀性:不同部位的宏观性质相同 各向异性:在晶体的不同方向上具有不同的物理性质 自限性:具有自发地形成规则几何形状的特性 对称性:在某几个特定方向上物理性质相同 解理性:具有沿某些确定方位的晶面劈裂 其他:具有固定熔点和最小内能 3、晶体的分类 根据结合力的性质分 晶体 组成 结合力 结合力 特性 晶体特性 离子晶体 正、负离子 库仑吸引力 (离子键) 无方向性 无饱和性 硬度高、熔点高、 性脆、电子导电性弱 共价晶体 原子 共价键 有方向性 有饱和性 硬度高、熔点高、沸点高、不溶于所有寻常液体 晶体 组成 结合力 结合力 特性 晶体特性 金属晶体 原子实、价电子 金属键 有明显方向性 有饱和性 具有导电性、导热性、金属光泽 分子晶体 电中性的无极分子 范德瓦耳斯力 (范德瓦耳斯键) 无方向性 无饱和性 熔点低、硬度低、 导电性差 立方 体心立方 面心立方 晶胞(晶体中的重复单元) 二、固体的能带 1、电子共有化 单个原子 两个原子 由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象,称为电子的共有化。 晶体中周期性势场 2、能带的形成 电子的共有化使原先每个原子中具有相同能级的电子能级,因各原子间的相互影响而分裂成一系列和原来能级很接近的新能级,它们看起来几乎是连续的,从而形成一条有一定宽度?E 的能带。 氢原子的能级分裂 原子中的能级 晶体中的能带 能带的一般规律: ② 越是外层电子,能带越宽,?E越大。 ① 原子间距越小,能带越宽,?E越大。 ③ 两个能带有可能重叠。 禁带:两个相邻能带间可能有一个不被允许的能量间隔。 离子间距 r0 2p 2s 1s E O 能带重叠示意图 电子在能带中的分布: ①每个能带可以容纳的电子数等于与该能带相应的原子能级所能容纳的电子数的N倍(N是组成晶体的原子个数)。 ②正常情况下,总是优先填能量较低的能级。 满带:各能级都被电子填满的能带。 价带:由价电子能级分裂而形成的能带。 价带能量最高,可能被填满,也可不满。 空带:与各原子的激发态能级相应的能带。 正常情况下没有电子填入。也是导带。 能带的分类: 导带:未填满电子的能带。 禁带 空带 满带 导带 满带 导带中的能级未被占满,一个电子在外力作用下向其它能级转移时,不一定有相反方向的转移来抵消,所以导带具有导电作用。 图21-3 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 由于满带中所有能级都被电子占满,因此一个电子在外力作用下向其它能级转移时,必然伴随着相反方向的转移来抵消,所以满带是不导电的。 图21-2 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 3.电子在能带中的填充和运动 三、导体和绝缘体 1 .导体的能带 导体的能带特点:都具有一个未被电子填满的能带。 在外电场作用下,这些能带中的电子很容易从一个能级跃入另一个能级,从而形成电流,所以导体显示出很强的导电能力。 禁带 价带 满带 空带 满带 空带 价带 满带 一个好的金属导体,它最上面的能带或是未被电子填满,或虽被填满但填满的能带却与空带相重叠。 禁带 空带 满带 半导体能带 禁带 空带 满带 绝缘体能带 2.半导体和绝缘体(电介质)的能带 从能带上看,半导体和绝缘体的能带没有本质区别:都具有填满电子的满带和隔离满带与空带的禁带。不同的是,半导体的禁带较窄,而绝缘体的禁带较宽。 四、半导体 电子导电——半导体的载流子是电子 空穴导电——半导体的载流子是空穴 1.本征半导体 由前可知,半导体禁带宽度较窄,通常温度下,满带的电子可能受激进入空带。进入空带的电子和留在满带中的空穴在外电场作用下都可导电。这种导电称为本征导电。具有本征导电的半导体,称为本征半导体。参与导电的电子和空穴统称本征载流子。 2.杂质半导体 在纯净的半导体里,可以用扩散的方法掺入少量其他元素的原子(称为杂质),掺有杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半导体的导电性能较之本征半导体有很大的改变。 Si Si Si Si Si Si Si P (1)n 型半导体 在四价元素中掺入少量五价元素,形成n型半导体。 四价元素中掺入五价元素后,其中四个电子可以和邻近的硅或锗原子形成共价健,多余的一个电子形成自由电子。 施主能级与导带底部之间的能量差值很小,通常温度下,施主能级中
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