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电沉积制备高深宽比金属奈米线阵列之研究
技術學刊 第二十四卷 第四期 民國九十八年 251
Journal of Technology, Vol. 24, No. 4, pp. 251-255 (2009)
電沉積製備高深寬比金屬奈米線陣列之研究
蔣亞霖 葉翳民
吳鳳技術學院光機電暨材料研究所
摘 要
近年來，科學家們對一維金屬奈米線陣列具有高度的興趣。這些金屬奈米
線陣列有許多潛在的應用技術，例如，在奈米電子和光電元件等方面。本研究
成功地利用電化學沉積 (ECD) 方式於陽極氧化鋁 (AAO) 模板中生長出高深
寬比金屬銅、銀奈米線陣列。經移除陽極氧化鋁基板之後，可獲得大量直立於
金層底材上之銅、銀奈米線陣列。此銅、銀奈米線陣列的直徑與長度均分別為
100 nm 與 10 μm 。實驗結果顯示，此製程可獲得具良好方向性之銅、銀奈米線
陣列直立均勻成長在大面積底材上；此奈米線經 XRD 繞射分析，顯示出的晶
相繞射圖可證實為多晶純銅、銀奈米線陣列。經掃描電子顯微鏡 (SEM) 觀
察，陽極氧化鋁 (AAO) 模板是高秩序的，且幾乎所有的孔洞中都完全填滿了
銅、銀奈米線。
關鍵詞：高深寬比，金屬奈米線陣列，陽極氧化鋁，電化學沉積。
HIGH ASPECT RATIO METAL NANOWIRE ARRAYS FABRICATED BY
ELECTROCHEMICAL DEPOSITION
Ya-Ling Chiang Yih-Min Yeh
Graduate Institute of Opto-Mechatronics and Materials
WuFeng Institute of Technology
Chia-yi, Taiwan 621, R.O.C.
Key Words: high aspect ratio, metal nanowire array, anodic aluminum
oxide (AAO), electrochemical deposition (ECD).
ABSTRACT
Recently, scientists have been interested in properties of one-di-
mensional metal nanowire arrays. These nanowire arrays have many
potential applications in technologies, for example in nanos
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