晶体硅太阳电池旁路结分析研究.pdfVIP

．110． 第十届中国太阳能光伏会议论文集 晶体硅太阳电池旁路结分析 李军勇 梁宗存赵汝强 金井升 李明华 沈辉+ (中山大学光电材料与技术国家重点实验室，太阳能系统研究所，广东省广州510006) 摘要 随着太阳电池使用的硅片越来越薄，硅片微观缺陷及太阳电池制造工艺引起的旁路结严重影响太阳电池的性 能。本文对太阳电池中产生旁路结的原因及机理进行了分析，采用太阳电池双二极管模型，使用Manab软件 编写程序进行光照和无光照条件下模拟分析，旁路结引起的漏电流严重影响太阳电池的开路电压和填充因子。 采用红外热像仪设备对正偏压条件下太阳电池表面温度进行测量，可以清晰显示旁路结漏电部位分布位置。 关键词 旁路结；开路电压；并联电阻；饱和电流 ●‘●山·_●一 l刖 舌 太阳电池的输出性能主要决定于开路电压V一短路电流I。填充因子FF。随着太阳电池使用的硅片越 来越薄，晶体硅微观缺陷及太阳电池制造工艺引起的旁路结会产生严重的漏电流，将会明显的降低太阳电池的 开路电压，从而降低输出效率。传统单二极管太阳电池模型中，旁路结表现为并联电阻R。h，其I．V特性是线 般采用双二极管模型来模拟太阳电池的I．V特性。旁路结主要由硅片质量本身引起以及在太阳电池生产过程中 产生。旁路结主要由以下9个方面产生【3】，其中由硅片材料本身引起的有：1)高复合晶体缺陷，2)熔铸多晶 二极管模型对太阳电池进行模拟，分析了旁路结并联电阻及旁路二极管对太阳电池特性的影响，并对实际太阳 电池进行了分析。 2理论模拟开路电压的影响因素 太阳电池一般由双二极管模型来表不--[41，见图1和图2。 J ， ，．4r 一1 Iol 102 Lh 102 b∑ 7 ＼Z 由k 、 7＼ ≥r ， 图1太阳电池双二极管模型 图2太阳电池无光照正偏压条件下模型 ‘通讯作者：沈辉，男，教授，shenhuil956@163．oom 晶体硅太阳电池及材料．111． 在光照条件下，其I．V特性曲线方程为： 式中Iph为光生电流，Io。表示体区或发射区通过陷阱能级复合的饱和电流，其大小一般为1010A数量级。 分别表示太阳电池的串联电阻和并联电阻。I和V分别为负载电流及电压。q为电子电荷，k为波耳兹曼常数， T为开尔文温度。 区或晶体缺陷复合的饱和电流，．这可认为是由旁路结引起的漏电流的非线性部分，Rsh可认为是引起漏电流中线 性部分的因素【6】。M．Wolf等人【2、6l推导出： k卅唧(刳 ㈩ 102*c ㈩ Ty2exp(一半] 其中Eg为禁带宽度，Et为复合中心能级，Ei为本征费米能级。可见102与杂质和缺陷浓度密切相关。 当电路处于开路状态时，I=0，方程(一)变为 o-，肚‘(eXp鬻寸k(exp蔫寸百V (4) 采用Matlab软件编写程序对方程(1)进行仿真解析，结果见图3。 可以看出并联电阻及102对开路电压的影响。有研究者指出咫h对I。并无太大的影响【_71。从该模型中，并 联电阻越小，开路电压越低，当并联电阻大于lQ时，其对开路电压影响非常微小；102增大，开路电压下降， 当102大于l 间电荷区是否存在深能级杂质、玷污或晶体缺陷密切相关的一个参量，要保证比较好的开路电压，太阳电池在 制造过程中保证洁净度，避免引入杂质玷污P．n结。 (a) ．112． 第十届中国太PBA￡_光伏会议论文集 (c)