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英飞凌最新碳化硅二极管在高性能开关电源及太阳能逆变器中的应用
英飞凌最新碳化硅二极管
在高性能开关电源及太阳能逆变器中的应用
李和明
英飞凌科技(中国)有限公司
主要内容
碳化硅二极管性能分析及英飞凌产品介绍
碳化硅二极管在开关电源及太阳能逆变器中的应用及测试结果分析
碳化硅二极管重要参数解读
PFC二极管选型建议
Copyright ©
Infineon
08.05.2012 Page 2
Technologies 2011.
All rights reserved.
碳化硅二极管
碳化硅SiC主要特征:
由于基本上没有反向恢复电荷与存储电荷,开关损耗
极小
开关特性独立于正向电流,开关速度和温度
SiC 优势:
提升效率
允许使用更小的MOSFET
由于可以提升和效率,可以节省成本和体积
要求 提升功率密度
改善EMI
增强系统可靠性
与Si 材料的二极管相比具有明显优势,在目标市场
(服务器,通信,太阳能,UPS)具有强大的市场
占有率。
600V 碳化硅二极管
第二代(2005) 第三代 (2009)
特点 Merged pn-junction 扩散法焊接工艺
好处 抗冲击电流能力强 抗冲击电流能力强
热阻Rth,JC小
电气参数 Vf 小 Qc小
目标应用 低开关频率 高开关频率
关注大负载效率的应用场合 关注轻载效率的应用场合
扩散法焊接工艺 (已申请专利)
SiC diode forward characteristics
Chip Diffusion soldering
Lead-frame
08.05.2012 Copyright © Infineon Technologies 2011. All rights reserved.
第五代650V 碳化硅二极管
晶圆厚度减小到原来的1/3 (110µm)
Rbulk 减小
G5
大电流通过时,VF更低
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