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使用Agilent8800三重四极杆ICP-MS提高ICP-MS方法对高纯硅样品中.PDF
使用Agilent 8800 三重四极杆ICP-MS 提高
ICP-MS 方法对高纯硅样品中磷和钛的检测
性能
应用简报
半导体
作者
Junichi Takahashi
安捷伦科技公司,日本东京
前言
在过去的三十年里,对半导体元件生产过程中金属杂质的监控变得越来越重
要。在 1983 到 1985 年间,第一代商用 ICP-MS 问世。此类第一代 ICP-MS 系
统的灵敏度已经高到足以测定很多种不受干扰的痕量元素,例如稀土元素、铀
和钍;但无法测定受多原子离子高背景信号干扰的低浓度重要元素,例如钾、
钙、铬和铁。
1994 年,惠普 (安捷伦)推出了4500 系列 ICP-MS ,这是冷等离子体技术的
首次可靠商业化应用,使 ICP- MS 能够对痕量碱金属和过渡金属元素进行测
定。事实上,借助冷等离子体技术可以完全消除氩和含氩多原子离子的干扰,
使 ICP-MS 可以分析高纯度半导体化学品中通常需要监测的所有金属元素。由于
冷等离子体 ICP-MS 获得了巨大成功,它已经成为半导体制造业中不可或缺的分
析仪器。冷等离子体技术的主要缺点在于对高基质样品的 反应气模式的 ICP-QMS 并非此类干扰的可靠解决方案,因
耐受性差,因为与常规的 “热”等离子体相比,低能等离 为来自样品的所有离子都会进入反应池,包括样品中存在
子体受电离抑制效应的程度更高。冷等离子体并非高基质 的所有基质组分和其他 (可变)分析物产生的多种多原子
样品常规分析的理想选择,因为基质的分解效率较低,会 离子。如果样品中的任何成分发生变化,反应池中产物离
在接口锥和离子透镜处形成较多的沉积物。四极杆 ICP-MS 子也会随之变化,从而产生新的不可预知的干扰。
(ICP-QMS) 碰撞 反应池 技术的发展提供了一种消
/ (CRC)
但随着三重四极杆 ICP-MS 技术的不断进步,这些难题最
除高强度多原子背景干扰的替代技术。将氢气和氨气作为
终都得到了解决,因为 MS/MS 模式可以控制碰撞池中的
反应气通入反应池中,用以中和氩和含氩的多原子离子,
反应过程,从而得以可靠、常规地使用反应气体。磷和氢
这样一来,即使在热等离子体条件下,也可以测定痕量
反应生成 3 1 PH4+ ,可由第二个四极杆质量分析器 (Q2) 于
的 Ca 和 Fe。此外,氦气碰撞模式可以用来减少或消除其
m/z 35 处检测。在此之前,所有m/z 35 离子均已为第
他 (基质中)的多原子离子,消除含硫和含氯的离子对其
一个四极杆 (Q1) 所排除,因为第一个四极杆设置为仅允许
他关键半导体分析物的干扰。
m/z 31 的离子通过。另外一种测量高硅基质中磷含量的方
然而,碰撞 反应池技术的性能仍然不足以解决某些对 法是以氧
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